1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 24А; 650Вт; TO264

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 24А; 650Вт; TO264
Немає в наявності
Код товару: IXFK24N80P
652,56 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFK24N80P
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 105нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 0,4Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 650Вт
Струм стока: 24А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 221кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 221кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; 150В

0,11 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Молоток; 490мм; W: 175мм; 3009г; 80мм; кругла; SIMPLEX
Молоток; 490мм; W: 175мм; 3009г; 80мм; кругла; SIMPLEX

5896,48 грн

Вага головки:
3009г
Загальна довжина:
490мм
Розмір:
80мм
Серія виробника:
simplex
Кабель: до датчиків; PIN: 12; M23 "мама"; прямий; 5м; вилка; 125ВDC
Кабель: до датчиків; PIN: 12; M23 "мама"; прямий; 5м; вилка; 125ВDC

3558,04 грн

Довжина кабелю:
5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR; ПВХ
Кількість пін:
12
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
IC: мікроконтролер dsPIC; 12кБ; 512БSRAM; QFN28; 3,3÷5ВDC; DSPIC
IC: мікроконтролер dsPIC; 12кБ; 512БSRAM; QFN28; 3,3÷5ВDC; DSPIC

359,22 грн

Вид архітектури:
Harvard 16бит
Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
PoR; watchdog
Інтерфейс:
ADC; I2C; IrDA; LIN; PWM; RS232; RS485; SPI; UART
Конденсатор: керамічний; 150нФ; 10ВDC; U2J; ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; 150нФ; 10ВDC; U2J; ±5%; SMD; 1206

20,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Ємність:
0,15мкФ
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 1,4А; 22Вт; IPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 1,4А; 22Вт; IPAK; ESD

23,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
6нКл
Корпус:
IPAK
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-113; CuBe; 3N; push-in; 100mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.8mm; GKS-113; CuBe; 3N; push-in; 100mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,8мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247

603,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247

455,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

306,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247

947,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP

214,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF

475,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO3PF
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%

9065,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
RF
Вид упаковки:
туба
Вихідна потужність:
350Вт