1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2А; Idm: 8А; 20Вт; TO220FP

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2А; Idm: 8А; 20Вт; TO220FP
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STF3LN80K5
105,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STF3LN80K5
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 2,63нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 3,25Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 20Вт
Струм стока: 2А
Струм стоку в імпульсі: 8А
Тип транзистора: N-MOSFET
Діод: випрямний; THT; 600В; 1,5А; Ifsm: 50А; DO15; Ammo Pack
Діод: випрямний; THT; 600В; 1,5А; Ifsm: 50А; DO15; Ammo Pack

8,24 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
DO15
Монтаж:
THT
Резистор: thin film; 220кОм; 0805; 130мВт; ±0,5%; RT; 25ppm/°C
Резистор: thin film; 220кОм; 0805; 130мВт; ±0,5%; RT; 25ppm/°C

1,05 грн

Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Опір:
220кОм
Кабель: до датчиків; PIN: 4; неекранований; вилка; IP67; автоматика
Кабель: до датчиків; PIN: 4; неекранований; вилка; IP67; автоматика

42031,22 грн

Ізоляційний матеріал проводу:
еластомер термопластичний TPE
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP67
Колір ізоляції:
чорний
Недоступний
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 166МГц; VFBGA54; -40÷85°C
IC: пам'ять DRAM; 128МбDRAM; 8Mx16бит; 166МГц; VFBGA54; -40÷85°C

452,99 грн

Вид пам’яті:
DRAM; SDRAM
Корпус:
VFBGA54
Монтаж:
SMD
Напруга живлення:
3...3,6В
Недоступний
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 12А; 180Вт; D2PAK,TO263; 155нс
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 12А; 180Вт; D2PAK,TO263; 155нс

129,88 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
18,5нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 1,2мкФ; 450ВDC; THT; ±10%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWFD; 1,2мкФ; 450ВDC; THT; ±10%

12,42 грн

Допуск:
±10%
Ємність:
1,2мкФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
15мм
Недоступний
Резистор: thick film; 2,26Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В
Резистор: thick film; 2,26Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В

20,27 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 200Вт; TO220AB

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
146нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 39А; Idm: 171А; 454Вт

658,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
115нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 98А; 150Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 98А; 150Вт; TO247AC

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
113,3нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 250В; 66А; Idm: 370А; 520Вт; TO247AC

352,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
180нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,9А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,9А; 190Вт; TO247AC

273,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
200нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 1,6А; Idm: 7А; 18Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 1,6А; Idm: 7А; 18Вт

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
2,8нКл
Корпус:
TO220FP