Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,1А; 37Вт; PG-TO252-3; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPD80R1K2P7ATMA1
84,90 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPD80R1K2P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 11нКл
Корпус: PG-TO252-3
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 1,2Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 37Вт
Струм стока: 3,1А
Технологія: CoolMOS™ P7
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вентилятор: DC; 40x40x10мм; осьовий; 21,6÷26,4ВDC; 9,3м3/г
Вентилятор: DC; 40x40x10мм; осьовий; 21,6÷26,4ВDC; 9,3м3/г

0,00 грн

Виводи:
проводи x2
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Довжина відводів:
0,3м
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 200В; 0,7А; 780нс; DO219AD,microSMP; Ifsm: 20А
Діод: випрямний; SMD; 200В; 0,7А; 780нс; DO219AD,microSMP; Ifsm: 20А

2,78 грн

Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
DO219AD; microSMP
Монтаж:
SMD
Пряма напруга макс.:
1,1В
Недоступний
Діод: TVS; 3кВт; односпрямована; DO214AB,SMC; ролик,cтрічка; 3KSMC
Діод: TVS; 3кВт; односпрямована; DO214AB,SMC; ролик,cтрічка; 3KSMC

26,86 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Зворотна напруга макс.:
11В
Корпус:
DO214AB; SMC
Монтаж:
SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 35В; X7R; ±10%; SMD; 0805

21,54 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; THT; 2,54мм
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; THT; 2,54мм

5,45 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Ємність:
0,1нФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 666мА
Перетворювач: DC/DC; 8Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 666мА

1866,45 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,666А
Вхідна напруга:
9...18В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Діод: TVS; 0,5кВт; 20В; DO214AA,SMB; Ch: 1; 30пФ; -65÷150°C
Діод: TVS; 0,5кВт; 20В; DO214AA,SMB; Ch: 1; 30пФ; -65÷150°C

1016,22 грн

Ємність:
30пФ
Зворотна напруга макс.:
18В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO214AA; SMB
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD