Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 3,3А; 125Вт; D2PAK; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STB7NK80ZT4
122,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STB7NK80ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: D2PAK
Модель: ESD
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 1,8Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 125Вт
Струм стока: 3,3А
Технологія: SuperMesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 1,74кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 1,74кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

44,98 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Індикатор: LED; червоний; 8÷48ВDC; PM3; проводи; 300мм; пластик
Індикатор: LED; червоний; 8÷48ВDC; PM3; проводи; 300мм; пластик

735,56 грн

Виводи:
проводи
Діаметр діода ДУВ:
5,9мм
Довжина відводів:
0,3м
Колір індикатора:
червоний
Диск SSD; 64ГБ; M.2 2280; 3D TLC NAND; SATA 3.2; -40÷85°C
Диск SSD; 64ГБ; M.2 2280; 3D TLC NAND; SATA 3.2; -40÷85°C

7062,86 грн

Вид пам’яті:
3D TLC NAND
Об’єм пам’яті:
64ГБ
Підключення:
M.2 2280
Робоча температура:
-40...85°C
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 6; THT; 1.5A

112,14 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
5мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD