Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,5А; 85Вт; D2PAK,TO263

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STB6N80K5
138,75 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STB6N80K5
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 7,5нКл
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 1,6Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 85Вт
Струм стока: 4,5А
Технологія: MDmesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; екранований; чорний
Корпус для з’єднувачів: D-Sub; екранований; чорний

27377,12 грн

Колір:
чорний
Модель роз’єму:
екранований
Тип корпусу для з’єднувачів:
D-Sub
Connector: wire-board; socket; male; data; Micro-Fit 3.0; PIN: 10
Connector: wire-board; socket; male; data; Micro-Fit 3.0; PIN: 10

112,77 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
10
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 24; THT; 3A; 250V

110,87 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 1.5A

67,79 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина відводів:
4,8мм
Недоступний
IC: цифровий; перемикач; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; XSON6; LVC; -40÷125°C
IC: цифровий; перемикач; Ch: 1; IN: 2; CMOS; SMD; XSON6; LVC; -40÷125°C

0,00 грн

Вид об'єднаної схеми:
перемикач
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Кількість каналів:
1
Корпус:
XSON6
Недоступний
Варистор: оксидно-цинковий; THT; 300ВAC; 385ВDC; 470В; 400А; 5мм
Варистор: оксидно-цинковий; THT; 300ВAC; 385ВDC; 470В; 400А; 5мм

1,48 грн

Вид упаковки:
cтрічка
Діаметр:
5мм
Допуск:
±10%
Енергія 2 мс:
10Дж
Недоступний
Резистор: thin film; 100кОм; THT; 1Вт; ±1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 100кОм; THT; 1Вт; ±1%; Ø3,7x10мм; осьові

33,26 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±1%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK

171,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8

15,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
28,4нКл
Корпус:
PowerDI3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA

336,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
10,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; 80В; 120А; 250Вт; H2PAK-2

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,12мкКл
Корпус:
H2PAK-2
Монтаж:
SMD