Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4А; 63Вт; PG-TO220-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SPP04N80C3
94,40 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SPP04N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: PG-TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 1,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 63Вт
Струм стока: 4А
Технологія: CoolMOS™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кристал; 12МГц; 18пФ; ±30ppm; ±5ppm/рік; 12,7x4,8x3,8мм; -20÷70°C
Кристал; 12МГц; 18пФ; ±30ppm; ±5ppm/рік; 12,7x4,8x3,8мм; -20÷70°C

4,75 грн

Довготривала стабільність:
±5ppm/рік
Ємність:
18пФ
Робоча температура:
-20...70°C
Розміри:
12,7x4,8x3,8мм
Недоступний
Модуль: IGBT; Ic: 600А; AG-62MM; Field Stop,Trench; пригвинчуваний
Модуль: IGBT; Ic: 600А; AG-62MM; Field Stop,Trench; пригвинчуваний

14434,25 грн

Корпус:
AG-62MM
Механічний монтаж:
пригвинчуваний
Напруга затвор - емітер:
±20В
Струм колектора:
600А
Амортизатор; 6,8мм; ST40X-36S-CV(80)
Амортизатор; 6,8мм; ST40X-36S-CV(80)

47,52 грн

Застосування - серія/виробник:
ST40X-36S-CV(80)
Зовнішній діаметр проводу:
6,8мм
Тип аксесуарів для роз’ємів:
амортизатор
Недоступний
Резистор: вуглецевий; 4,3кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В
Резистор: вуглецевий; 4,3кОм; SMD; MELF; 0207; 1Вт; ±2%; 500В

5,45 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
2,2мм
Діаметр роліка макс.:
180мм
Довжина:
5,8мм
Недоступний
Connector: wire-board; socket; male; data; Mini-Fit Jr; PIN: 2; 13A
Connector: wire-board; socket; male; data; Mini-Fit Jr; PIN: 2; 13A

200,84 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
2
Роз’єм: круглі; PIN: 12; прямий; позолочений
Роз’єм: круглі; PIN: 12; прямий; позолочений

19566,67 грн

Кількість пін:
12
Покриття контакту:
позолочений
Просторова орієнтація:
прямий
Тип роз’єму:
круглі
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 600В; 60А; Ifsm: 830А; TO247AC-2; туба; 180нс
Діод: випрямний; THT; 600В; 60А; Ifsm: 830А; TO247AC-2; туба; 180нс

476,43 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
0,6кВ
Корпус:
TO247AC-2
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD