Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5,4А; 78Вт; TO220AB

Немає в наявності
Код товару: SIHP6N80E-GE3
79,83 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 1000
Крок додавання: 50
Код товару: SIHP6N80E-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 44нКл
Корпус: TO220AB
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 820мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 78Вт
Струм стока: 5,4А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Датчик: температури; Pt100; кл.B; G3/4 A; Електр.під'єдн: PG11
Датчик: температури; Pt100; кл.B; G3/4 A; Електр.під'єдн: PG11

6870,89 грн

Виводи:
проводи x3
Вид датчика температури:
Pt100
Глибина монтажу:
200мм
Діапазон вимірювання температури:
-50...200°C
Блок живлення: імпульсний; LED; DALI 2; 100Вт; 64÷300ВDC; IP20
Блок живлення: імпульсний; LED; DALI 2; 100Вт; 64÷300ВDC; IP20

1809,43 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
64...300В DC
Вихідний струм:
200...700мА
Резистор: thin film; 24кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB
Резистор: thin film; 24кОм; SMD; 0402; 63мВт; ±0,1%; ERA2AEB

5,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,3пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1%; SMD

1,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; 15нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1812
Конденсатор: керамічний; 15нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1812

23,88 грн

Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
15нФ
Корпус - дюйм:
1812
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; 219Вт; PG-TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 30А; 219Вт; PG-TO247-3

265,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
PG-TO247-3
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 32; SMT; 3A; 250V

353,52 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247

603,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247

455,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

306,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247

947,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP

214,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF

475,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO3PF
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%

9065,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
RF
Вид упаковки:
туба
Вихідна потужність:
350Вт