Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт

Немає в наявності
Код товару: SIHB11N80AE-T1-GE3
63,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: SIHB11N80AE-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 391мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 78Вт
Струм стока: 5А
Струм стоку в імпульсі: 22А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 10; THT; 3A; 250V

47,52 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 8кбEEPROM; I2C; 1Кx8бит; 1,8÷5,5В; 400кГц
IC: пам'ять EEPROM; 8кбEEPROM; I2C; 1Кx8бит; 1,8÷5,5В; 400кГц

13,94 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Інтерфейс:
I2C
Корпус:
UFDFPN8
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 1.5A

195,13 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAI
Кабель: до датчиків; M8; PIN: 3; штекерний,гніздовий; вилка; SAI

696,28 грн

Довжина проводу:
1,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
3
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 0.9mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 0.9mm; GKS-100; CuBe; 3N; push-in; 20mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
0,9мм
Недоступний
Датчик: оптоволоконний; Дальність: 2879мм; Дл: 2м; Вим: Ø4x28мм
Датчик: оптоволоконний; Дальність: 2879мм; Дл: 2м; Вим: Ø4x28мм

28699,98 грн

Вид датчика:
прямий
Дальність:
2879мм
Довжина проводу:
2м
Матеріал корпусу:
нержавіюча сталь
Недоступний
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 4; штекерний; промислова; IP67; проводи
Роз’єм: M12; гніздо; PIN: 4; штекерний; промислова; IP67; проводи

570,20 грн

Connector family:
промислова
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина проводу:
0,5м
Електричний монтаж:
проводи
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; 115Вт; D2PAK; ESD

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD