1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт
Немає в наявності
Код товару: SIHB11N80AE-T1-GE3
63,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 800
Крок додавання: 800
Код товару: SIHB11N80AE-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Корпус: D2PAK; TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 391мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 78Вт
Струм стока: 5А
Струм стоку в імпульсі: 22А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 24,3В; односпрямована; DO13; Ch: 1; -65÷175°C
Діод: TVS; 1,5кВт; 24,3В; односпрямована; DO13; Ch: 1; -65÷175°C

856,56 грн

Зворотна напруга макс.:
21,8В
Кількість каналів:
1
Корпус:
DO13
Монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 12; THT; 1.5A

138,75 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Резистор: thick film; 715Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F
Резистор: thick film; 715Ом; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJP08F

2,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 49; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 49; THT; 3A; 100V

215,41 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 100V

303,47 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
IC: power switch; high-side; 3А; Ch: 1; P-Channel; SMD; uDFN4; 1,5мкс
IC: power switch; high-side; 3А; Ch: 1; P-Channel; SMD; uDFN4; 1,5мкс

38,65 грн

Активний стан:
високе
Вид виходу:
P-Channel
Вид об'єднаної схеми:
high-side
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 4,2нГн; 1800мА; R: 0,044Ом; ±2%; LQW
Реактор: дротяний; SMD; 0402; 4,2нГн; 1800мА; R: 0,044Ом; ±2%; LQW

3,44 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±2%
Індуктивність:
4,2нГн
Корпус - дюйм:
0402
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,3А; Idm: 0,6А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,3А; Idm: 0,6А; 0,35Вт; SOT23

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 32А; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 32А; HSOP8

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42,8нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; Idm: 720А; 300Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; Idm: 720А; 300Вт; TO263-7

302,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
156нКл
Корпус:
TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 32А; 208Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 32А; 208Вт; автомобільна галузь

520,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
47нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; Idm: 20А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; Idm: 20А; 1,3Вт; SOT23

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 140А; Idm: 560А; 217Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 140А; Idm: 560А; 217Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
96нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DFN5