Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6,6А; 190Вт; TO220-3; ESD

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: STP12NK80Z
162,82 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STP12NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO220-3
Модель: ESD
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 0,75Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 190Вт
Струм стока: 6,6А
Технологія: SuperMesh™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 340кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B
Резистор: thick film; 340кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B

1,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 01005; 31,25мВт; ±1%; 15В
Резистор: thick film; 100Ом; SMD; 01005; 31,25мВт; ±1%; 15В

2,41 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
Монтаж:
SMD
Недоступний
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 1206; 1Вт; ±1%; SG73S; 200В
Резистор: thick film; 100кОм; SMD; 1206; 1Вт; ±1%; SG73S; 200В

0,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Конденсатор: поліестровий; 0,068мкФ; 15мм; 18x6x12мм
Конденсатор: поліестровий; 0,068мкФ; 15мм; 18x6x12мм

23,76 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Ємність:
68нФ
Растр виводів:
15мм
Розміри корпусу:
18x6x12мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,2пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,76 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,2пФ
Patch cord; U/UTP; Cat 5e; RJ45 вилка,з обох сторін; 15м; тросик
Patch cord; U/UTP; Cat 5e; RJ45 вилка,з обох сторін; 15м; тросик

199,57 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cca
Вид кабелю:
U/UTP
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 200В; 1,5А; 35нс; SOD123W; Ufmax: 0,95В
Діод: випрямний; SMD; 200В; 1,5А; 35нс; SOD123W; Ufmax: 0,95В

26,61 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
супер швидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 6,6А; 190Вт; TO247; ESD

321,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 12А; 150Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; польовий; 600В; 12А; 150Вт

190,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247

505,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3

346,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
90нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В