1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8,2А; Idm: 32,5А; 96Вт; DPAK

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 8,2А; Idm: 32,5А; 96Вт; DPAK
Немає в наявності
Код товару: NTD360N80S3Z
207,17 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: NTD360N80S3Z
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 25,3нКл
Корпус: DPAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 0,3Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 96Вт
Струм стока: 8,2А
Струм стоку в імпульсі: 32,5А
Тип транзистора: N-MOSFET
Трансформатор: мережевий; 5ВА; 230ВAC; 6В; 800мА; гвинтовий; IP00
Трансформатор: мережевий; 5ВА; 230ВAC; 6В; 800мА; гвинтовий; IP00

414,98 грн

Виводи:
для друку
Виводи вторинної обмотки:
8-5
Виводи первинної обмотки:
1-4
Відповідність стандарту:
PN EN 61558
Резистор: thin film; 14,7кОм; 1206; 250мВт; ±1%; RT; -55÷155°C
Резистор: thin film; 14,7кОм; 1206; 250мВт; ±1%; RT; -55÷155°C

0,66 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
14,7кОм
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 200В; 1А; 3,3Вт
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 200В; 1А; 3,3Вт

48,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 75Вт; DFN8; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 75Вт; DFN8; автомобільна галузь

57,65 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
28нКл
Корпус:
DFN8
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 17А; 100Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 17А; 100Вт; TO263

306,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 12А; 23Вт; DFN6; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 12А; 23Вт; DFN6; автомобільна галузь

30,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
8,5нКл
Корпус:
DFN6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,97А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 0,97А; Idm: 6А; 25Вт

24,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
7,9нКл
Корпус:
DPAK; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 62Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; 40В; 40А; 62Вт; DFN8

49,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
19,1нКл
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 284А; Idm: 1,8кА; 291Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 284А; Idm: 1,8кА; 291Вт

120,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
109нКл