Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 300Вт; PG-TO263-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPB025N08N3GATMA1
228,71 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPB025N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Корпус: PG-TO263-3
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 2,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 120А
Технологія: OptiMOS™ 3
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; AC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 20кОм; SMD; 2512; 1Вт; ±1%; AC; -55÷155°C

2,90 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Недоступний
Резистор: керамічний; 390кОм; THT; 2Вт; ±10%; PCF; 400В; -40÷200°C
Резистор: керамічний; 390кОм; THT; 2Вт; ±10%; PCF; 400В; -40÷200°C

27,18 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
7мм
Довжина:
19мм
Допуск:
±10%
Резистор: thick film; 30кОм; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 30кОм; 1206; 250мВт; ±5%; -55÷155°C

0,29 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; SMT; 1.5A
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 26; SMT; 1.5A

288,90 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Довжина контакту:
3мм
Недоступний
Діод: зенера; 500мВт; 4,7В; DO35; 2мкА; Ufmax: 1,1В
Діод: зенера; 500мВт; 4,7В; DO35; 2мкА; Ufmax: 1,1В

85,53 грн

Зенерівська напруга:
4,7В
Корпус:
DO35
Монтаж:
THT
Потужність розсіювання:
0,5Вт
Недоступний
Резистор: thin film; 6,65кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 6,65кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

73,49 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
IC: мікроконтролер DSP; 100МГц; LQFP48; CAN,I2C,LIN,SPI,USART
IC: мікроконтролер DSP; 100МГц; LQFP48; CAN,I2C,LIN,SPI,USART

280,66 грн

Вид архітектури:
32бит
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PWM
Інтерфейс:
CAN; I2C; LIN; SPI; USART
Корпус:
LQFP48
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; 0,225Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 30В; 5,6А; 1,4Вт; SOT23

44,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 2,5А; 70Вт; DPAK; ESD

119,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 0,9А; 2Вт; TSOP6

35,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
TSOP6
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 18А; 2,5Вт; SO8

98,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 37А; 107Вт; DPAK

70,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 30А; Idm: 160А; 110Вт; DPAK

60,82 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
48нКл