Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 147А; Idm: 764А; 250Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IPP019N08NF2SAKMA1
193,23 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IPP019N08NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 124нКл
Корпус: PG-TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 1,9мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 147А
Струм стоку в імпульсі: 764А
Технологія: StrongIRFET™ 2
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 2.25N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 2mm; GKS-112; CuBe; 2.25N; push-in; 20mΩ

307,91 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні; самоочищення
Діаметр наконечника:
2мм
Недоступний
Резистор: thin film; 33,2Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові
Резистор: thin film; 33,2Ом; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм; осьові

403,57 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 100V

217,94 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Провід; 7x26AWG; еластомер термопластичний TPE; білий; 600В
Провід; 7x26AWG; еластомер термопластичний TPE; білий; 600В

85648,86 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з сріблених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; сріблена
Вміст упаковки:
30,5м
Провід; Alpha Essential C&C; 4x22AWG; екранований,плівка AL-PET
Провід; Alpha Essential C&C; 4x22AWG; екранований,плівка AL-PET

2497,47 грн

Будова екрану:
екранований; плівка AL-PET
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
CSA CMG FT4; UL 2092; UL CMG; VW-1
Недоступний
IC: перетворювач А/D; Ch: 8; 8бит; 20кsps; 4,5÷5,5В; SO20
IC: перетворювач А/D; Ch: 8; 8бит; 20кsps; 4,5÷5,5В; SO20

0,00 грн

Вид архітектури:
SAR
Вид входу:
differential; pseudo-differential; single-ended
Відносна погрішність:
1LSB
Інтерфейс:
SPI
1мОм; ±1%; 3Вт; -65÷170°C; 3921; SMD; 75ppm/°C
1мОм; ±1%; 3Вт; -65÷170°C; 3921; SMD; 75ppm/°C

33,32 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
3921
Корпус - мм:
10052
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 29,6А; Idm: 85А; 187,5Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 29,6А; Idm: 85А; 187,5Вт

681,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
62,3нКл
Транзистор: N-JFET; польовий; 40мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 10мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 40мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 10мА

32,31 грн

Вид упаковки:
cтрічка
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-25В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 56А; 48Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 56А; 48Вт; TO220FP

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
113,3нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 33А; 140Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 33А; 140Вт; TO220AB

81,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
47,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,9А; Idm: 25А; 125Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 3,9А; Idm: 25А; 125Вт; TO220AB

84,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
60нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 35А; 300Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 35А; 300Вт; TO247AC

151,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
234нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 89А; 130Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 89А; 130Вт; TO220AB

114,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
65,3нКл