Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 190А; Idm: 1440А; 250Вт

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: FDB0190N807L
318,04 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDB0190N807L
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 249нКл
Корпус: D2PAK-6
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 4,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 250Вт
Струм стока: 190А
Струм стоку в імпульсі: 1,44кА
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; штекерний,гніздовий; вилка; SAIL
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; штекерний,гніздовий; вилка; SAIL

3933,74 грн

Довжина проводу:
1,5м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
5
Клас герметичності:
IP67
Конденсатор: поліпропиленовий; 20мкФ; 1,2кВDC; 15А; ±5%; -40÷70°C
Конденсатор: поліпропиленовий; 20мкФ; 1,2кВDC; 15А; ±5%; -40÷70°C

1891,79 грн

Виводи:
гвинти М8
Допуск:
±5%
Ємність:
20мкФ
Робоча напруга:
1,2кВ DC
Недоступний
Датчик: геркон; Контакти: NO; 750мА; макс.230В; 2м; -25÷75°C
Датчик: геркон; Контакти: NO; 750мА; макс.230В; 2м; -25÷75°C

2093,26 грн

Довжина проводу:
2м
Конфігурація контактів:
NO
Напруга перемикання:
макс. 230В
Робоча температура:
-25...75°C
IC: PMIC; SMD; -40÷105°C; SOP8; Топологія: buck; 90÷264ВAC
IC: PMIC; SMD; -40÷105°C; SOP8; Топологія: buck; 90÷264ВAC

51,95 грн

Вхідна напруга:
90...264В AC
Корпус:
SOP8
Монтаж:
SMD
Робоча температура:
-40...105°C
Недоступний
Резистор: thin film; 51Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 51Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; THT; 3A; 250V

260,39 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Недоступний
Connector: wire-board; socket; male; data; SignalBee; PIN: 3; 1.25mm
Connector: wire-board; socket; male; data; SignalBee; PIN: 3; 1.25mm

25,85 грн

Connector family:
data
Engineering PN:
CL0538-0022-7-35
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
SMT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK