Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 200А; Idm: 400А; 300Вт; D2PAK

Немає в наявності
Код товару: CSD19505KTTT
274,96 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: CSD19505KTTT
Виробник: TEXAS INSTRUMENTS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: D2PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 3,8мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 200А
Струм стоку в імпульсі: 400А
Технологія: NexFET™
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,1пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,1пФ; 100В; X8G; ±0,1пФ; SMD; 01005

0,67 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X8G
Ємність:
9,1пФ
Недоступний
Діод: зенера; 0,4Вт; 6,8В; SMD; SOD323; Ifмакс: 200мА; ролик,cтрічка
Діод: зенера; 0,4Вт; 6,8В; SMD; SOD323; Ifмакс: 200мА; ролик,cтрічка

2,28 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±2%
Зенерівська напруга:
6,8В
Недоступний
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 30; THT; 1.5A; 60V
Connector: pin strips; socket; female; data; PIN: 30; THT; 1.5A; 60V

855,30 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Висота:
5,5мм
Довжина відводів:
12,4мм
Недоступний
Діод: TVS збірка; 6÷11В; ESD; DFN5; Ch: 4
Діод: TVS збірка; 6÷11В; ESD; DFN5; Ch: 4

2,29 грн

Використання:
HDMI; USB
Зворотна напруга макс.:
5В
Кількість каналів:
4
Корпус:
DFN5
Недоступний
IC: PMIC; DC/DC switcher,контролер PWM; Uвих: 5ВDC; SO8
IC: PMIC; DC/DC switcher,контролер PWM; Uвих: 5ВDC; SO8

511,28 грн

Вид об'єднаної схеми:
DC/DC switcher; контролер PWM
Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
2А
Кількість каналів:
1
Недоступний
Реактор: дротяний; SMD; 330нГн; ±20%; M; 5,7x5,2x1,6мм
Реактор: дротяний; SMD; 330нГн; ±20%; M; 5,7x5,2x1,6мм

15,52 грн

Допуск:
±20%
Індуктивність:
0,33мкГн
Монтаж:
SMD
Розміри корпусу:
5,7x5,2x1,6мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2,3А; 0,5Вт; SOT23

21,54 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±8В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 1,2А; Idm: 27А; 0,4Вт; SOT23

32,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
5,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 35А; 47Вт; PG-TO252-3

39,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 40А; Idm: 80А; 40Вт

66,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
77нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 120А; 375Вт; PG-TO263-3

291,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 56А; 310Вт; D2PAK

215,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,5А; 4,5Вт; DFN3x3 EP

15,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
7,1нКл
Корпус:
DFN3x3 EP
Монтаж:
SMD