Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 27А; 26,5Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: AOD2816
15,46 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 2500
Крок додавання: 2500
Код товару: AOD2816
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 5нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 15мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 26,5Вт
Струм стока: 27А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 91нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 91нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

6,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,3пФ; 50ВDC; C0G (NP0); SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,3пФ; 50ВDC; C0G (NP0); SMD; 0201

0,66 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,3пФ
Корпус - дюйм:
0201
Плата: універсальна; одностороння,прототипна; W: 160мм; L: 100мм
Плата: універсальна; одностороння,прототипна; W: 160мм; L: 100мм

256,59 грн

Виводи:
знизу
Вид покриття плати:
мідь
Властивості макетних плат:
об'єднані отвори
Діаметр отвору:
1,1мм
Недоступний
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJUP8F
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 1206; 660мВт; ±1%; ERJUP8F

2,46 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 4,7кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,13 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thin film; 383кОм; 63мВт; 1,6x0,8x0,4мм
Резистор: thin film; 383кОм; 63мВт; 1,6x0,8x0,4мм

27,37 грн

Опір:
383кОм
Потужність:
63мВт
Розміри корпусу:
1,6x0,8x0,4мм
Тип резистора:
thin film
Недоступний
Резистор: thick film; 442Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 442Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,23 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 0,22А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 25В; 0,22А; 0,35Вт; SOT23

10,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
0,7нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5А; 43Вт; DPAK

48,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,765А
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 60В; 0,12А; Idm: 0,765А

2,22 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,9нКл
Корпус:
SOT23; TO236AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 43А; 71Вт; DPAK

76,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 72А; 375Вт; D2PAK

240,75 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 4А; 135Вт; DPAK

103,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
3,4нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 1,2кВ; PG-HDSOP-16; автомобільна галузь

729,22 грн

Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
PG-HDSOP-16
Монтаж:
SMD