1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 32А; Idm: 206А; 52Вт; Power33

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 32А; Idm: 206А; 52Вт; Power33
Немає в наявності
Код товару: FDMC010N08C
152,69 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMC010N08C
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 22нКл
Корпус: Power33
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 52Вт
Струм стока: 32А
Струм стоку в імпульсі: 206А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 1А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 1А; Полюси: 1

1012,42 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Кількість полюсів:
1
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
на шину DIN
Connector: wire-wire; male; data; 125V; PIN: 15; polyamide; 2mm
Connector: wire-wire; male; data; 125V; PIN: 15; polyamide; 2mm

9,57 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
затискання
Кількість пін:
15
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,1пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,16 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,1пФ
Недоступний
IC: пам'ять EEPROM; 512кБEEPROM; SPI; 64Кx8бит; SOIC8; послідовний
IC: пам'ять EEPROM; 512кБEEPROM; SPI; 64Кx8бит; SOIC8; послідовний

107,07 грн

Вид пам’яті:
EEPROM
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Інтерфейс:
SPI
Корпус:
SOIC8
Недоступний
Резистор: thick film; 374Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D
Резистор: thick film; 374Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,5%; ERJPC3D

1,27 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Резистор: thick film; 2,61кОм; 1206; 250мВт; ±1%; RC; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,61кОм; 1206; 250мВт; ±1%; RC; -55÷155°C

0,15 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Опір:
2,61кОм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 7,6пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
7,6пФ
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 2,7А; 32Вт; PG-TO252-3; ESD

77,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO252-3
Модель:
ESD
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 52А; 357Вт; D2PAK

176,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 7,8А; Idm: 26А; 86Вт

67,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
14,6нКл
Корпус:
TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 2А; 0,5Вт; SuperSOT-3

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
6,3нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 11,6А; 2,5Вт; SO8

43,08 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
SO8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 1,4А; 56,8Вт; TO252

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 9,75А; 83Вт; DPAK

102,00 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
26нКл
Корпус:
DPAK