Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 38А; Idm: 273А; 57Вт; Power33

Немає в наявності
Код товару: FDMC008N08C
128,61 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: FDMC008N08C
Виробник: ONSEMI
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Заряд затвора: 29нКл
Корпус: Power33
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 13,5мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 57Вт
Струм стока: 38А
Струм стоку в імпульсі: 273А
Технологія: PowerTrench®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 8,4МГц; Ch: 2; MSOP8; 7мВ; туба; IB: 1нА
IC: Oпераційний підсилювач; 8,4МГц; Ch: 2; MSOP8; 7мВ; туба; IB: 1нА

128,61 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
7мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1нА
Недоступний
Резистор: thick film; 261кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 261кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Перехідник на DIN-рейку; Рейка: TS35
Перехідник на DIN-рейку; Рейка: TS35

102,64 грн

Розмір монтажної рейки:
TS35
Тип вимірювальних аксесуарів:
перехідник на DIN-рейку
Резистор: thick film; 8,2МОм; SMD; 2Вт; -65÷200°C; 200ppm/°C
Резистор: thick film; 8,2МОм; SMD; 2Вт; -65÷200°C; 200ppm/°C

16,66 грн

Монтаж:
SMD
Опір:
8,2мОм
Потужність:
2Вт
Робоча температура:
-65...200°C
Діод: зенера; 0,2Вт; 10В; SMD; SOD523; одиночний діод
Діод: зенера; 0,2Вт; 10В; SMD; SOD523; одиночний діод

4,18 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Допуск:
±5%
Зенерівська напруга:
10В
Корпус:
SOD523
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,6пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,6пФ; 200В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

6,46 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,6пФ
Недоступний
Діод: випрямний; THT; 200В; 2А; Ifsm: 50А; DO15,DO204AC; Ufmax: 1,1В
Діод: випрямний; THT; 200В; 2А; Ifsm: 50А; DO15,DO204AC; Ufmax: 1,1В

11,09 грн

Властивості напівпровідникових елементів:
ультрашвидке перемикання
Зворотна напруга макс.:
200В
Корпус:
DO15; DO204AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 200А; Idm: 400А; 250Вт; D2PAK

171,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 7А; 4,17Вт; SOT223

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
9,3нКл
Корпус:
SOT223
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 2,5А; Idm: 16А; 77Вт; TO252

18,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8
Транзистор: N-MOSFET; 60В; 40,6А; PowerDI3333-8

15,27 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
28,4нКл
Корпус:
PowerDI3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5А; Idm: 14А; 74Вт; SMA

336,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
10,1нКл
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 25В; 415А

133,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
200нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-12...16В