Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 40А; Idm: 98А; 42Вт; TSON8

Немає в наявності
Код товару: TPN13008NH,L1Q(M
0,00 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 5000
Крок додавання: 5000
Код товару: TPN13008NH,L1Q(M
Виробник: TOSHIBA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: cтрічка; ролик
Корпус: TSON8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 13,3мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 42Вт
Струм стока: 40А
Струм стоку в імпульсі: 98А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: провід-плата; вилка; PIN: 6; Mini CT; Iном: 2А; вертикальне
Роз’єм: провід-плата; вилка; PIN: 6; Mini CT; Iном: 2А; вертикальне

0,00 грн

Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
6
Клас горючості:
UL94V-0
Колір корпусу:
натуральний
Недоступний
Діод: TVS; 1,5кВт; 40,9÷45,2В; односпрямована; DO214AB,SMC; 1.5SMC
Діод: TVS; 1,5кВт; 40,9÷45,2В; односпрямована; DO214AB,SMC; 1.5SMC

8,55 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
36,8В
Корпус:
DO214AB; SMC
Провід; HookUp Wire; 24AWG; дріт; Cu; ПВХ; червоний; 300В; 30,5м
Провід; HookUp Wire; 24AWG; дріт; Cu; ПВХ; червоний; 300В; 30,5м

1009,25 грн

Iнформація:
Маркування UL лише на повній заводській упаковці
Будова жили:
дріт
Вид жили:
Cu; луджена
Вид кабелю:
HookUp Wire
Вентилятор: DC; 60x60x25мм; осьовий; 24ВDC; 62м3/г; 41,7дБА
Вентилятор: DC; 60x60x25мм; осьовий; 24ВDC; 62м3/г; 41,7дБА

582,87 грн

Виводи:
проводи x3
Вид вентилятора:
осьовий
Вид підшипника:
кульковий
Двигун вентилятора:
безщітковий DC
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 66; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 66; SMT; 3A; 250V

287,63 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Провід; Alpha Essential C&C; 12x18AWG; ПВХ; темно-сірий; 1000В
Провід; Alpha Essential C&C; 12x18AWG; ПВХ; темно-сірий; 1000В

171816,61 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu; луджена
Відповідність стандарту:
MIL-W-16878 (Type C)
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 47Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,10 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 5,2А; TO263-7

269,26 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
8,9нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,36А; Idm: 1,8А; 0,35Вт

5,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
1,8нКл
Корпус:
SOT23-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 13А; Idm: 38А; 110Вт; DPAK

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
16,8нКл
Корпус:
DPAK
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 10,5А; U-DFN2020-6

14,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
52,6нКл
Корпус:
U-DFN2020-6
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 34,1А; Idm: 192А; 106Вт

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
30нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 82А; Idm: 326А; 130Вт

86,16 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
55нКл
Корпус:
LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 10А; Idm: 36А; 2Вт; DFN2020-8S

68,42 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
DFN2020-8S