Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 55А; 72Вт; TO220-3

Немає в наявності
Код товару: TK35E08N1,S1X(S
53,22 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: TK35E08N1,S1X(S
Виробник: TOSHIBA
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 25нКл
Корпус: TO220-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 12,2мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 72Вт
Струм стока: 55А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.3mm; GKS-100; CuBe; 4N; push-in; 20mΩ
Test probe: ICT/FCT; 8A; Ø: 1.3mm; GKS-100; CuBe; 4N; push-in; 20mΩ

345,29 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
6,35мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,3мм
Недоступний
Резистор: thin film; 200кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові
Резистор: thin film; 200кОм; THT; 500мВт; ±0,1%; Ø3,7x10мм; осьові

48,15 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
3,7мм
Довжина:
10мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -190мА; 403мВт; SOT23
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -60В; -190мА; 403мВт; SOT23

15,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка
Заряд затвора:
1,9нКл
Корпус:
SOT23
Недоступний
Провід; JZ-500 HMH; JZ; 5G10мм2; неекранований; 300В,500В; Cu
Провід; JZ-500 HMH; JZ; 5G10мм2; неекранований; 300В,500В; Cu

908,52 грн

Будова екрану:
неекранований
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид кабелю:
JZ
Резистор: thin film; 820кОм; прецизійний; SMD; 2512; 0,5Вт; ±0,1%
Резистор: thin film; 820кОм; прецизійний; SMD; 2512; 0,5Вт; ±0,1%

10,33 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
2512
Недоступний
Резистор: thin film; 47кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 47кОм; SMD; 0805; 100мВт; ±0,1%; -55÷155°C

7,03 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 100V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 48; THT; 3A; 100V

545,49 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; Idm: 141А; 417Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 47А; Idm: 141А; 417Вт; TO247-3

611,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,21мкКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4А; Idm: 20А; 43Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 4А; Idm: 20А; 43Вт; TO220AB

74,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
8,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 6,3А; Idm: 40А; 125Вт; TO220AB

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 160Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 30А; 160Вт; TO247AC

137,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 17А; 45Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 17А; 45Вт; TO220AB

43,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13,3нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 5мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

26,61 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 5,7А; 115Вт; TO220-3; ESD

169,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD