Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 55А; 83Вт; TO263

Немає в наявності
Код товару: AOB286L
93,13 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AOB286L
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 63нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 80В
Опір в стані провідності: 7,6мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 83Вт
Струм стока: 55А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 209÷231В; 1,9А; односпрямована; DO15; P6KE
Діод: TVS; 0,6кВт; 209÷231В; 1,9А; односпрямована; DO15; P6KE

3,55 грн

Вид упаковки:
Ammo Pack
Властивості напівпровідникових елементів:
glass passivated
Зворотна напруга макс.:
185В
Корпус:
DO15
Резистор: metal film; 750Ом; 1Вт; MFR
Резистор: metal film; 750Ом; 1Вт; MFR

1,74 грн

Опір:
750Ом
Потужність:
1Вт
Серія виробника:
MFR
Тип резистора:
metal film
Недоступний
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CRGP
Резистор: thick film; 22Ом; SMD; 2512; 2Вт; ±1%; CRGP

8,62 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Монтаж:
SMD
Недоступний
Генератор; 19,2МГц; SMD; 3,2x2,5x1мм; ±25ppm; 3,3ВDC; -10÷70°C
Генератор; 19,2МГц; SMD; 3,2x2,5x1мм; ±25ppm; 3,3ВDC; -10÷70°C

65,26 грн

Вихідний сигнал:
CMOS
Монтаж:
SMD
Робоча напруга:
3,3В DC
Робоча температура:
-10...70°C
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 0,17А; 0,225Вт; SOT23

13,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,36Вт; SOT23

20,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; SJMOS™ C4; польовий; 650В; SOT223

34,21 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 120А; 188Вт; PG-TO263-3

159,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Корпус:
PG-TO263-3
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; польовий; 30В; 100А; Idm: 400А

134,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
153нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,35Вт; SOT23; Igt: 50мА

23,44 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 80А; 300Вт; D2PAK; ESD

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
D2PAK
Модель:
ESD