Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 80А; 136Вт; PG-TO263-3

Name: Транзистор: N-MOSFET; польовий; 80В; 80А; 136Вт; PG-TO263-3
Brand: INFINEON TECHNOLOGIES
SKU: IPB067N08N3GATMA1
Price: 105.80 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: IPB067N08N3GATMA1

105,80 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

IPB067N08N3GATMA1

Виробник:

INFINEON TECHNOLOGIES

Вид каналу:

збагачений

Корпус:

PG-TO263-3

Монтаж:

SMD

Напруга затвор-джерело:

±20В

Напруга сток-джерело:

80В

Опір в стані провідності:

6,7мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

136Вт

Струм стока:

80А

Технологія:

OptiMOS™ 3

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 1,6А; Idm: 6,4А; 1,25Вт; SOT23

12,67 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
1,5нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 100А; 3,9Вт; TO252

103,90 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик 13 дюймів

Використання:
автомобільна галузь

Корпус:
TO252

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 500мА; Idm: 1А; 300мВт; SOT523

6,97 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
1,4нКл

Корпус:
SOT523

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 40В; 130А; Idm: 520А; 100Вт

81,73 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Використання:
автомобільна галузь

Заряд затвора:
41нКл

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 650В; 8А; 57Вт; TO263

36,75 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Корпус:
TO263

Монтаж:
SMD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; X2-Class; польовий; 650В; 60А; 780Вт; TO268

579,07 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
108нКл

Корпус:
TO268

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,4А; 150мВт; SC70; ESD

3,67 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
cтрічка; ролик

Заряд затвора:
0,39нКл

Корпус:
SC70