1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 850В; 14А; 38Вт; TO220FP; 116нс

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 850В; 14А; 38Вт; TO220FP; 116нс
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: IXFP14N85XM
266,09 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IXFP14N85XM
Виробник: IXYS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: ultra junction x-class
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: TO220FP
Монтаж: THT
Напруга сток-джерело: 850В
Опір в стані провідності: 0,55Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 38Вт
Струм стока: 14А
Тип транзистора: N-MOSFET
Час готовності: 116нс
Недоступний
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 5В; 35нс; SO32; паралельний
IC: пам'ять SRAM; 1МбSRAM; 128Кx8бит; 5В; 35нс; SO32; паралельний

162,82 грн

Вид пам’яті:
SRAM
Корпус:
SO32
Монтаж:
SMD
Пам'ять:
1Мб SRAM
Недоступний
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В
Резистор: thin film; 2,2кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,5%; TC; 150В

0,70 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 6,8мкФ; 25ВDC; SMD; B; 1210; ±10%; TPS
Конденсатор: танталовий; 6,8мкФ; 25ВDC; SMD; B; 1210; ±10%; TPS

18,56 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±10%
Ємність:
6,8мкФ
Корпус:
B
Недоступний
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±2%; 200В; -55÷125°C
Резистор: thick film; 2,2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±2%; 200В; -55÷125°C

0,17 грн

Допуск:
±2%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 6,3В; X6S; ±10%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 15нФ; 6,3В; X6S; ±10%; SMD; 0201

0,19 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±10%
Недоступний
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 330мкФ; 6,3ВDC; ±20%
Конденсатор: електролітичний; low ESR; SMD; 330мкФ; 6,3ВDC; ±20%

9,50 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
6,2мм
Діаметр:
8мм
Допуск:
±20%
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 500мА
Перетворювач: DC/DC; 6Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 12ВDC; Iвих: 500мА

2490,50 грн

Вихідна напруга:
12В DC
Вихідний струм:
0,5А
Вхідна напруга:
18...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 53А; 142Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 53А; 142Вт; TO220-3

254,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 133А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 133А; 200Вт; TO220AB

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт

853,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
0,22мкКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 300Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 300Вт; TO247AC

337,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,19мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; 180Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; 180Вт; TO247AC

281,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,9А; 40Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2,9А; 40Вт; TO220FP

168,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
67нКл
Корпус:
TO220FP