Транзистор: N-MOSFET; польовий; 850В; 21А; 208Вт; TO247AC

Немає в наявності
Код товару: SIHG24N80AE-GE3
129,24 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 500
Крок додавання: 25
Код товару: SIHG24N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 59нКл
Корпус: TO247AC
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 850В
Опір в стані провідності: 184мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 208Вт
Струм стока: 21А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWH; 0,0016мкФ; 2кВDC; THT; ±5%
Конденсатор: поліпропиленовий; ECWH; 0,0016мкФ; 2кВDC; THT; ±5%

12,86 грн

Допуск:
±5%
Ємність:
1,6нФ
Монтаж:
THT
Растр виводів:
10мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25%; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,25%; SMD

0,97 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±0,25%
Connector: wire-wire; socket; female; data; Inom: 9A; 600V; PIN: 1
Connector: wire-wire; socket; female; data; Inom: 9A; 600V; PIN: 1

51,95 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
затискання; компресійний
Кількість пін:
1
Недоступний
Резистор: thin film; 1,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3APB
Резистор: thin film; 1,2кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; ERA3APB

10,71 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

0,10 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Радіатор: штампований; U; L: 27,96мм; W: 22мм; H: 9,52мм; мідь
Радіатор: штампований; U; L: 27,96мм; W: 22мм; H: 9,52мм; мідь

47,52 грн

Висота:
9,52мм
Довжина:
27,96мм
Матеріал:
мідь
Тип радіатора:
штампований
Недоступний
Cable: for sensors; PIN: 4; M12 female panel,RJ45 plug; 1.4m; 1.5A
Cable: for sensors; PIN: 4; M12 female panel,RJ45 plug; 1.4m; 1.5A

1935,51 грн

Довжина кабелю:
1,4м
Ізоляційний матеріал проводу:
PUR
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP20; IP67
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 50А; Idm: 200А; 69,4Вт; TO220-3

37,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 18А; Idm: 72А; 20,2Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 18А; Idm: 72А; 20,2Вт; TO220FP

31,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
22нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 60А; Idm: 264А; 313Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 60А; Idm: 264А; 313Вт

855,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 11А; Idm: 44А; 25Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 11А; Idm: 44А; 25Вт; TO220FP

136,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
16нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

2559,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB