Транзистор: N-MOSFET; польовий; 90В; 350мА; Idm: 3А; TO39

Немає в наявності
Код товару: 2N6661
876,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: 2N6661
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: розсипний
Корпус: TO39
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 90В
Опір в стані провідності: 4Ом
Поляризація: польовий
Стандартне пакування виробника: 500шт.
Струм стока: 0,35А
Струм стоку в імпульсі: 3А
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Роз’єм: живлення DC; роз'єм живлення; 30А; 0,6кВ; прямий
Роз’єм: живлення DC; роз'єм живлення; 30А; 0,6кВ; прямий

110,87 грн

Connector family:
роз'єм живлення
Матеріал контакту:
сплав міді
Номінальна напруга:
0,6кВ
Номінальний струм:
30А
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,2нФ; 80В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,2нФ; 80В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

1,56 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; Iконтактів max: 2А
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPDT; Iконтактів max: 2А

176,13 грн

Зовнішні розміри:
14,8x7,3x9,2мм
Конфігурація контактів:
DPDT
Макс. струм контактів:
2А
Модель реле:
надмініатюрнe
Недоступний
Резистор: thin film; 2,8кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В
Резистор: thin film; 2,8кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±1%; TC; 150В

0,75 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Конденсатор: танталовий; 1,5мкФ; 35ВDC; SMD; A; 1206; ±10%; TAJ
Конденсатор: танталовий; 1,5мкФ; 35ВDC; SMD; A; 1206; ±10%; TAJ

42,45 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±10%
Ємність:
1,5мкФ
Корпус:
A
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 50В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402

21,41 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Ємність:
1нФ
Недоступний
Резистор: thick film; 348Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В
Резистор: thick film; 348Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; CQ; 75В

0,07 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1500В; 1,6А; 140Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 1500В; 1,6А; 140Вт; TO220-3

241,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 700В; 6А; Idm: 12,8А; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 700В; 6А; Idm: 12,8А; TO220FP

43,97 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
6,8нКл
Корпус:
TO220FP
Напруга сток-джерело:
700В
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 100В; 66А; 300Вт
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 100В; 66А; 300Вт

136,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 900В; 36А; Idm: 96А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 900В; 36А; Idm: 96А; 417Вт; TO247

1141,66 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
0,27мкКл
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4,4А; 125Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 4,4А; 125Вт; TO220-3; ESD

163,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 72Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 72Вт

87,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 3,65А; 140Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 3,65А; 140Вт; TO247

181,83 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT