1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 6А; Idm: 40А; 190Вт; TO247

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 950В; 6А; Idm: 40А; 190Вт; TO247
Немає в наявності
Код товару: STW13N95K3
293,97 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: STW13N95K3
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 51нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 950В
Опір в стані провідності: 0,68Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 190Вт
Струм стока: 6А
Струм стоку в імпульсі: 40А
Тип транзистора: N-MOSFET
Наконечник: самопаяльна втулка; затискання
Наконечник: самопаяльна втулка; затискання

100,10 грн

Електричний монтаж:
затискання
Тип наконечника:
самопаяльна втулка
Недоступний
Резистор: thin film; 4,3кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6ARB
Резистор: thin film; 4,3кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±0,1%; ERA6ARB

12,73 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
200В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 48МГц; UFQFPN32; 2÷3,6ВDC; STM32F0
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 48МГц; UFQFPN32; 2÷3,6ВDC; STM32F0

115,94 грн

Вид архітектури:
Cortex M0
Вид упаковки:
лоток
Властивості інтегральних мікросхем:
CRC; DMA; PdR; PoR; PVD; PWM; RTC; watchdog
Інтерфейс:
HDMI CEC; I2C; SPI; USART x2; USB
Недоступний
Трансформатор: литий; 2,1ВА; 230ВAC; 12В; 12В; 88мА; 88мА; PCB; BVEI
Трансформатор: литий; 2,1ВА; 230ВAC; 12В; 12В; 88мА; 88мА; PCB; BVEI

434,62 грн

Відповідність стандарту:
PN EN 61558-2-6:2000; UL 5085-1; UL 5085-3
Вторинна напруга 1:
12В
Вторинна напруга 2:
12В
Зовнішні розміри:
32,5x27,5x27,4мм
Недоступний
Резистор: thick film; 576кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 576кОм; 2512; 1Вт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,59 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6332
Опір:
576кОм
Резистор: thin film; 4,99кОм; 0201; 50мВт; ±0,1%; RT; -55÷125°C
Резистор: thin film; 4,99кОм; 0201; 50мВт; ±0,1%; RT; -55÷125°C

2,90 грн

Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0201
Корпус - мм:
0603
Опір:
4,99кОм
Недоступний
Ключ: комбінований; двосторонній; 23мм; L: 275мм
Ключ: комбінований; двосторонній; 23мм; L: 275мм

683,60 грн

Вид ключа:
двосторонній
Відповідність стандарту:
DIN 3113
Властивості ключів:
кільцева голівка вигнута на 15°
Довжина:
275мм
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

1306,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
269нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 13А; Idm: 32,5А; 96Вт; TO220-3

220,48 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 180А; TO247AC

204,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD