Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 100В; 75А; Idm: 300А

Немає в наявності
Код товару: APT10M25BVRG
614,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT10M25BVRG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 225нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 100В
Опір в стані провідності: 25мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 75А
Струм стоку в імпульсі: 300А
Технологія: POWER MOS 5®
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: поліпропиленовий; 18мкФ; 400ВDC; ±2%; Ø28,8x62мм
Конденсатор: поліпропиленовий; 18мкФ; 400ВDC; ±2%; Ø28,8x62мм

750,76 грн

Виводи:
осьові
Висота:
62мм
Діаметр:
28,8мм
Допуск:
±2%
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0603; 250мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0603; 250мВт; ±5%; -55÷155°C

0,48 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2нФ; 1кВ; X7R; ±10%; SMD; 1210

3,74 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPST-NO; 8A/250ВAC; DK
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPST-NO; 8A/250ВAC; DK

464,39 грн

Виводи:
для друку
Електрична стійкість:
100000 цикли
Зовнішні розміри:
20x15x10мм
Конфігурація контактів:
DPST-NO
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 10нФ; 50В; X7R; ±10%; SMD; 0603

3,80 грн

Вид упаковки:
ролик 7 дюймів
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 64,9Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 64,9Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Насадка: 6-гранна; насадковий; HEX 14мм; 1/4"; коротка
Насадка: 6-гранна; насадковий; HEX 14мм; 1/4"; коротка

102,64 грн

Вид ключа:
насадковий
Довжина насадки:
24,5мм
Модель:
коротка
Розмір гнізда:
HEX 14мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 18,9А; 313Вт; TO247

603,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 28А; 330Вт; TO247

455,53 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ II; польовий; 600В; 12,6А; 140Вт

306,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; 150В; 171А; Idm: 684А; 517Вт; TO247

947,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,9А; 38,5Вт; TO220FP

214,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
65нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 35А; 102Вт; TO3PF

475,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO3PF
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%
Транзистор: N-MOSFET; польовий; RF; 130В; 40А; 500Вт; M244; 17дБ; 61%

9065,52 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид транзистора:
RF
Вид упаковки:
туба
Вихідна потужність:
350Вт