1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А

Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: APT10050LVFRG
1533,20 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT10050LVFRG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 500нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 0,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 520Вт
Струм стока: 21А
Струм стоку в імпульсі: 84А
Технологія: POWER MOS 5®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33нФ; 100В; X7R; ±20%; SMD; 0805

1,04 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 9,76Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 9,76Ом; 1206; 250мВт; ±1%; 200В; -55÷155°C

0,87 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 134мА
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 18÷36ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 134мА

3087,31 грн

Використання:
медичні програми
Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
134мА
Вхідна напруга:
18...36В DC
Світловий бар'єр безпеки; H: 760мм; 12м; IP65,IP67; EOS4 X; 24ВDC
Світловий бар'єр безпеки; H: 760мм; 12м; IP65,IP67; EOS4 X; 24ВDC

53096,87 грн

Висота:
760мм
Властивості датчиків:
захист руки
Дальність:
12м
Клас герметичності:
IP65; IP67
Недоступний
Скребок; Використання: для видалення пазів; 50мм
Скребок; Використання: для видалення пазів; 50мм

95,67 грн

Використання інструментів:
для видалення пазів
Довжина кінцівки:
50мм
Тип інструмента:
скребок
Недоступний
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 18Ом; SMD; 0603; 0,2Вт; ±5%; 50В; -55÷155°C

0,22 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
100В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 787Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B
Резистор: thick film; 787Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B

1,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 6А; 41Вт; PG-TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 6А; 41Вт; PG-TO220-3; ESD

69,69 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
13нКл
Корпус:
PG-TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2А; 35Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 2А; 35Вт; TO220FP

98,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 15А; 150Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 15А; 150Вт; TO247-3

316,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 13А; 33Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 13А; 33Вт; TO220FP

89,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 2,6А; 29Вт; TO251
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 2,6А; 29Вт; TO251

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO251
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 300В; 52А; 400Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 300В; 52А; 400Вт; TO247-3

499,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
110нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 72А; 390Вт; TO3P
Транзистор: N-MOSFET; X3-Class; польовий; 300В; 72А; 390Вт; TO3P

536,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
82нКл
Корпус:
TO3P