1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А

Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 1кВ; 21А; Idm: 84А
Термін постачання: 3 тижні
Код товару: APT10050LVRG
1678,28 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT10050LVRG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 500нКл
Корпус: TO264
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 1кВ
Опір в стані провідності: 0,5Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 520Вт
Струм стока: 21А
Струм стоку в імпульсі: 84А
Технологія: POWER MOS 5®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Діод: випрямний; SMD; 400В; 1,5А; 900нс; DO220AA,SMP; Ufmax: 1,1В
Діод: випрямний; SMD; 400В; 1,5А; 900нс; DO220AA,SMP; Ufmax: 1,1В

6,59 грн

Зворотна напруга макс.:
0,4кВ
Корпус:
DO220AA; SMP
Монтаж:
SMD
Пряма напруга макс.:
1,1В
Недоступний
Резистор: thick film; 3,4Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 3,4Ом; SMD; 1225; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

3,74 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Недоступний
Ключ: шестигранний; HEX 1/20"; Довж.заг: 44мм; оксидовані
Ключ: шестигранний; HEX 1/20"; Довж.заг: 44мм; оксидовані

34,85 грн

Загальна довжина:
44мм
Матеріал покриття:
оксидовані
Розмір ключа - дюйм:
HEX 1/20"
Тип ключа:
шестигранний
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 62; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 62; SMT; straight

205,90 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
10,4мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPST-NO; 40А; макс.600ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 24ВDC; DPST-NO; 40А; макс.600ВAC

271,79 грн

Зовнішні розміри:
52,6x34,8x26,4мм
Конфігурація контактів:
DPST-NO
Макс. струм контактів:
40А
Матеріал контакту:
AgSnO2
Резистор: thin film; 1,37кОм; SMD; 0402; 130мВт; ±0,1%; -55÷155°C
Резистор: thin film; 1,37кОм; SMD; 0402; 130мВт; ±0,1%; -55÷155°C

1,76 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 2,7кОм; SMD; 0603; 0,1Вт; ±5%; 75В; -55÷155°C

1,20 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт

763,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
128нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

662,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
287нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC

217,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В