1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 200В; 56А; Idm: 224А

Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 200В; 56А; Idm: 224А
Немає в наявності
Код товару: APT20M45BVRG
651,93 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT20M45BVRG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 195нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 45мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 56А
Струм стоку в імпульсі: 224А
Технологія: POWER MOS 5®
Тип транзистора: N-MOSFET
Резистор: thick film; 511кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В
Резистор: thick film; 511кОм; SMD; 0805; 0,125Вт; ±1%; 150В

0,98 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Кабель; 7,62м; N з штирями; чорний; штекерний
Кабель; 7,62м; N з штирями; чорний; штекерний

4542,58 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Довжина кабелю:
7,62м
Колір ізоляції:
чорний
Конструкція кабелю/переходу:
N з штирями
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 630В; U2J; ±5%; SMD; 1210
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,6нФ; 630В; U2J; ±5%; SMD; 1210

5,20 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
U2J
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 6,3В; X6S; ±20%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 4,7мкФ; 6,3В; X6S; ±20%; SMD; 0402

0,71 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1кОм; SMD; 0805; 125мВт; ±5%; -55÷155°C

0,44 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Резистор: thin film; 7,68кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм
Резистор: thin film; 7,68кОм; THT; 250мВт; ±0,1%; Ø2,5x7,2мм

47,52 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
2,5мм
Довжина:
7,2мм
Допуск:
±0,1%
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,8В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 2,8В

47,52 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
2,8В
Вихідний струм:
0,5А
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 48А; Idm: 223А; 326Вт

648,76 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
99нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 156Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 15А; Idm: 66А; 156Вт

273,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
29,6нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 214А; Idm: 856А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 214А; Idm: 856А; 333Вт

301,57 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
89нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 53А; 142Вт; TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 19А; Idm: 53А; 142Вт; TO220-3

254,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
35нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 133А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 133А; 200Вт; TO220AB

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт

853,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
0,22мкКл