Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 200В; 56А; Idm: 224А

Немає в наявності
Код товару: APT20M45SVRG
739,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT20M45SVRG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 195нКл
Корпус: D3PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 200В
Опір в стані провідності: 45мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 300Вт
Струм стока: 56А
Струм стоку в імпульсі: 224А
Технологія: POWER MOS 5®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Свердло; для бетону; Ø: 12мм; L: 310мм; SDS-Plus®
Свердло; для бетону; Ø: 12мм; L: 310мм; SDS-Plus®

86,80 грн

Вид рукоятки:
SDS-Plus®
Властивості свердел:
подвійна спіраль забезпечує швидке видалення відходів
Діаметр свердла:
12мм
Довжина:
310мм
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,2нФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0603

0,87 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Недоступний
Діод: випрямний Шотткі; SC83; SMD; 150В; 20А; ролик,cтрічка
Діод: випрямний Шотткі; SC83; SMD; 150В; 20А; ролик,cтрічка

62,72 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Ємність:
159пФ
Зворотна напруга макс.:
150В
Корпус:
SC83
Недоступний
Резистор: thick film; 39,2Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 39,2Ом; SMD; 2010; 750мВт; ±1%; 200В

0,79 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 8,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

2,12 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
8,3пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 9,9пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,5пФ; SMD

0,75 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
9,9пФ
Недоступний
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF
Резистор: thick film; 240Ом; SMD; 0402; 100мВт; ±1%; ERJH2RF

1,74 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 8А; 160Вт; D2PAK

153,32 грн

Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
D2PAK
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
900В
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263
Транзистор: N-MOSFET; FDmesh™ II; 600В; 29А; 190Вт; D2PAK,TO263

167,89 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
80,4нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 3А; Idm: 6А; 28Вт; PG-TDSON-8

26,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
9нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 650В; 37А; 139Вт; D2PAK-7

487,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
59нКл
Корпус:
D2PAK-7
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 100В; 10А; 28Вт; TO252

52,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
15,5нКл
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; Trench; польовий; 20В; 5А; 1,25Вт; SOT23

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10,5нКл
Корпус:
SOT23
Монтаж:
SMD