Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; польовий; 800В; 16А; Idm: 64А

Немає в наявності
Код товару: APT8056BVRG
852,13 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: APT8056BVRG
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 275нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±30В
Напруга сток-джерело: 800В
Опір в стані провідності: 0,56Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 370Вт
Струм стока: 16А
Струм стоку в імпульсі: 64А
Технологія: POWER MOS 5®
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1нФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

1,58 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Діод: TVS; 0,6кВт; 38,63В; 11,3А; двоспрямована; ±5%; DO214AA
Діод: TVS; 0,6кВт; 38,63В; 11,3А; двоспрямована; ±5%; DO214AA

39,91 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Використання:
автомобільна галузь
Допуск:
±5%
Зворотна напруга макс.:
33В
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470нФ; 100В; X7R; ±10%; SMD; 1206

67,16 грн

Alias:
C1206X474K1RAC7800
Вид конденсатора:
MLCC
Властивості конденсаторів:
гнучкі закінчення
Діелектрик:
X7R
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 380÷420В; 750мА; односпрямована; DO41; P4KE
Діод: TVS; 0,4кВт; 380÷420В; 750мА; односпрямована; DO41; P4KE

20,91 грн

Вид упаковки:
cтрічка
Зворотна напруга макс.:
342В
Корпус:
DO41
Монтаж:
THT
Недоступний
Роз’єм: XLR; гніздо; штекерний; аудіо відео; PIN: 5; прямий; паяння
Роз’єм: XLR; гніздо; штекерний; аудіо відео; PIN: 5; прямий; паяння

514,45 грн

Connector family:
аудіо відео
Вид роз’єму:
штекерний
Електричний монтаж:
паяння
Кількість пін:
5
Недоступний
Блок живлення: імпульсний; LED; 28Вт; 12÷40ВDC; 100÷700мА; IP20
Блок живлення: імпульсний; LED; 28Вт; 12÷40ВDC; 100÷700мА; IP20

2785,74 грн

Вид блоку живлення:
LED
Використання:
LED
Вихідна напруга:
12...40В DC
Вихідний струм:
100...700мА
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 50ВDC; X8R; ±1%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; 100пФ; 50ВDC; X8R; ±1%; SMD; 0603

1,10 грн

Діелектрик:
X8R
Допуск:
±1%
Ємність:
0,1нФ
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт

763,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
128нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

662,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
287нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC

217,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В