Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 140А; 200Вт; TO220

Немає в наявності
Код товару: GT040N10T
88,70 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT040N10T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 0,1мкКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 200Вт
Струм стока: 140А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thin film; 634Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%
Резистор: thin film; 634Ом; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±0,5%

1,55 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 250МГц; LQFP64; 1,71÷3,6ВDC; Cmp: 1
IC: мікроконтролер STM32 ARM; 250МГц; LQFP64; 1,71÷3,6ВDC; Cmp: 1

482,77 грн

Вид архітектури:
Cortex M33
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); DMA; PdR; PoR; PVD; watchdog
Інтерфейс:
CAN FD; DCMI; Ethernet; GPIO; HDMI CEC; I2C; I2S; LPUART; SAI; SDMMC; SPI; UART; USART; USB
Кількість входів/виходів:
49
Недоступний
Резистор: thin film; 510Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 510Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

1,40 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 4,6÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 3А; THT
Перетворювач: DC/DC; Uвх: 4,6÷36ВDC; Uвих: 3,3ВDC; Iвих: 3А; THT

360,49 грн

Вихідна напруга:
3,3В DC
Вихідний струм:
3А
Вхідна напруга:
4,6...36В DC
Захист:
від короткого замикання SCP
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 1,8пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

1,80 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
1,8пФ
Наконечник; викрутка; 1,6x0,7мм
Наконечник; викрутка; 1,6x0,7мм

594,91 грн

Застосування паяльного обладнання:
для паяльника; до паяльної станції
Розміри наконечника:
1,6x0,7мм
Супутні товари:
WEL.WP120; WEL.WXP120
Тип наконечника:
soldering
Захисний пакет; ESD; L: 660мм; W: 508мм; Thk: 76мкм;
Захисний пакет; ESD; L: 660мм; W: 508мм; Thk: 76мкм;

43,72 грн

Відповідність стандарту:
IEC 61340-5-1
Довжина:
660мм
Матеріал:
металізована плівка
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 80А; 200Вт; TO220AB

102,64 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
146нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,2А; Idm: 6А; 36Вт; TO220AB

62,72 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
17нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 90А; Idm: 231А; 465Вт

853,40 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
0,22мкКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 98А; 150Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 98А; 150Вт; TO247AC

138,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
113,3нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,9А; 190Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4,9А; 190Вт; TO247AC

273,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
200нКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 100В; 35А; 150Вт
Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; польовий; 100В; 35А; 150Вт

96,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,4А; 70Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,4А; 70Вт; TO220-3; ESD

113,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD