1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 140А; 200Вт; TO263

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 140А; 200Вт; TO263
Немає в наявності
Код товару: GT040N10M
89,33 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT040N10M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 0,1мкКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 200Вт
Струм стока: 140А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.4mm; GKS-912; CuBe; 0.6N; plug-in
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.4mm; GKS-912; CuBe; 0.6N; plug-in

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5мм
Діаметр наконечника:
1,4мм
Довжина:
32мм
Недоступний
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "папа",М12 "мама"; вилка; 250В; 4А
Кабель: до датчиків; PIN: 4; М12 "папа",М12 "мама"; вилка; 250В; 4А

776,10 грн

Довжина проводу:
2м
Ізоляційний матеріал проводу:
ПВХ
Кількість пін:
4
Клас герметичності:
IP68; IP69K
Недоступний
Резистор: thick film; 1,07Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,07Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; -55÷155°C

0,33 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 2; 20А; 0-1; для вбудовування
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 2; 20А; 0-1; для вбудовування

1870,25 грн

Кількість всіх позицій:
2
Кількість полюсів:
2
Кількість фіксованих позицій:
2
Клас герметичності:
IP65 спереду
Недоступний
Резистор: thin film; 2,05кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В
Резистор: thin film; 2,05кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±0,1%; TC; 75В

5,83 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Резистор: thick film; 8,2Ом; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 600ppm/°C
Резистор: thick film; 8,2Ом; 0603; 100мВт; ±5%; ERJ3GEY; 600ppm/°C

0,22 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 33пФ; 100В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0805

3,24 грн

Alias:
KGQ21HCG2A330JT
Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А

4406,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
90В
Струм стока:
12А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8

11,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23