Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 100В; 70А; 100Вт; TO220

Немає в наявності
Код товару: GT080N10T
61,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT080N10T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 50нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 100В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 100Вт
Струм стока: 70А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 23,7Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 23,7Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,15 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 178кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 178кОм; SMD; 1020; 2Вт; ±1%; CRW; -55÷155°C

1,27 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1020
Корпус - мм:
2550
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 29; SMT; straight
Connector: pin strips; socket; male; data; PIN: 29; SMT; straight

121,01 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Довжина:
17,6мм
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Діод: TVS; 0,4кВт; 64,6В; 4,5А; двоспрямована; SMA; P4SMA
Діод: TVS; 0,4кВт; 64,6В; 4,5А; двоспрямована; SMA; P4SMA

26,61 грн

Зворотна напруга макс.:
58,1В
Корпус:
SMA
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
64,6В
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 21; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 21; SMT; 3A; 250V

444,75 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; NS; 75В
Резистор: thick film; 33кОм; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; NS; 75В

0,56 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,2А; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,2А; TO220F

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
27,7нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 150В; 62А; 350Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 150В; 62А; 350Вт; TO220AB

326,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1500В; 4А; 250Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1500В; 4А; 250Вт; TO247

450,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; 250Вт

385,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; PolarHV™; польовий; 600В; 26А; 460Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; PolarHV™; польовий; 600В; 26А; 460Вт; TO247-3

612,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 24А; 150Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 24А; 150Вт; TO220AB

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 81Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 81Вт

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
50нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В