Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 120В; 180А; 230Вт; TO263

Немає в наявності
Код товару: GT035N12M
112,14 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT035N12M
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 126нКл
Корпус: TO263
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 120В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 230Вт
Струм стока: 180А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 150мкФ; 63ВDC; Ø8x20мм
Конденсатор: електролітичний; low ESR; THT; 150мкФ; 63ВDC; Ø8x20мм

34,85 грн

Вид конденсатора:
low ESR
Висота:
20мм
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Діаметр:
8мм
Недоступний
IC: цифровий; 3-позиційний,неінвертуючий,тригер D; Ch: 8; IN: 8
IC: цифровий; 3-позиційний,неінвертуючий,тригер D; Ch: 8; IN: 8

19,26 грн

Вид виходу:
3-позиційний
Вид об'єднаної схеми:
3-позиційний; неінвертуючий; тригер D
Кількість виходів:
8
Кількість каналів:
8
Недоступний
Роз’єм: automotive; вилка; штекерний; DuraMate AHDM; сплав цинку
Роз’єм: automotive; вилка; штекерний; DuraMate AHDM; сплав цинку

779,90 грн

Вид роз’єму:
штекерний
Кількість пін:
18 (14+3+1)
Корпус:
розмір 24
Матеріал корпусу:
сплав цинку
Конденсатор: керамічний; 5,6пФ; 25ВDC; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; 5,6пФ; 25ВDC; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

0,47 грн

Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,6пФ
Корпус - дюйм:
01005
Корпус - мм:
0402
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 1,2В
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 1,2В

26,61 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
1,2В
Вихідний струм:
0,8А
Недоступний
Резистор: thick film; 332Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B
Резистор: thick film; 332Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±0,1%; ERJPC3B

1,51 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А
Транзистор: N-MOSFET; 90В; 12А

4406,37 грн

Вид каналу:
збагачений
Напруга сток-джерело:
90В
Струм стока:
12А
Тип транзистора:
N-MOSFET
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8
Транзистор: N-MOSFET; 800В; 4А; Idm: 8,9А; 37Вт; PG-TDSON-8

11,34 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
PG-TDSON-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8
Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; 60В; 41,6Вт; PowerPAK® SO8

44,35 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
14,5нКл
Корпус:
PowerPAK® SO8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,1А; Idm: 6,8А; 54Вт

147,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
D2PAK; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 189мА; 3,3Вт; SOT223; ESD

39,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 11А; 110Вт; DPAK

134,31 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,1А; 1,3Вт; SOT23

22,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
logic level
Заряд затвора:
3,5нКл
Корпус:
SOT23