Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 120В; 70А; 100Вт; TO252

Немає в наявності
Код товару: GT100N12K
52,58 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT100N12K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 45нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 120В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 100Вт
Струм стока: 70А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 36÷72ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC
Перетворювач: DC/DC; 3Вт; Uвх: 36÷72ВDC; Uвих: 15ВDC; Uвих.2: -15ВDC

802,08 грн

Вихідна напруга:
15В DC
Вихідна напруга 2:
-15В DC
Вихідний струм:
0,1А
Вхідна напруга:
36...72В DC
Недоступний
Накладка; інтелігентний будинок,кнопки і перемикачі; подвійний
Накладка; інтелігентний будинок,кнопки і перемикачі; подвійний

448,56 грн

Використання:
інтелігентний будинок; кнопки і перемикачі
Додаткові функції:
лазерне гравіювання
Колір:
антрацитовий глянцевий
Модель:
подвійний
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,5пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,5пФ; 500В; C0G (NP0); ±0,25пФ; SMD

16,28 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
2,5пФ
Недоступний
IC: мікроконтролер; VQFN24; I2C,IrDA,LIN,SPI,UART,USART; 2÷3,6В
IC: мікроконтролер; VQFN24; I2C,IrDA,LIN,SPI,UART,USART; 2÷3,6В

100,10 грн

Вид архітектури:
MSP430
Властивості інтегральних мікросхем:
Brown Out Reset (BOR); PoR; PWM; вбудований тактовий генератор
Інтерфейс:
I2C; IrDA; LIN; SPI; UART; USART
Корпус:
VQFN24
Недоступний
Діод: TVS; 300Вт; 94,4В; 2,2А; двоспрямована; DO214AC,SMA; SMAJ
Діод: TVS; 300Вт; 94,4В; 2,2А; двоспрямована; DO214AC,SMA; SMAJ

2,85 грн

Зворотна напруга макс.:
85В
Корпус:
DO214AC; SMA
Монтаж:
SMD
Напруга пробою:
94,4В
Недоступний
Резистор: thick film; 220кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; ERJU03F
Резистор: thick film; 220кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; ERJU03F

0,75 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 130А; 360Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 130А; 360Вт; TO263

294,60 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
130нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 170А; 360Вт; TO263; 63нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 170А; 360Вт; TO263; 63нс

179,93 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
109нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 37А; Idm: 180А; 41,7Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 37А; Idm: 180А; 41,7Вт

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
9,8нКл
Корпус:
PDFN5060-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 260А; Idm: 1040А; 347,2Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 260А; Idm: 1040А; 347,2Вт

80,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TOLL
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 110А; 480Вт; TO263; 85нс
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 110А; 480Вт; TO263; 85нс

345,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
thrench gate power mosfet
Заряд затвора:
150нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 65А; Idm: 260А; 96Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 120В; 65А; Idm: 260А; 96Вт; TO252

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
30нКл
Корпус:
TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; Idm: 100А; 53,2Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 25А; Idm: 100А; 53,2Вт; TO252

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
37,9нКл
Корпус:
TO252