Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 30В; 209А; 89Вт; TO220; ESD

Немає в наявності
Код товару: GT011N03TE
69,06 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT011N03TE
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 98нКл
Корпус: TO220
Модель: ESD
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 30В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 89Вт
Струм стока: 209А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 0805; ±1%; 150В; 0,125мм
Резистор: thick film; 5,1кОм; SMD; 0805; ±1%; 150В; 0,125мм

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Монтаж:
SMD
Недоступний
Роз’єм: automotive; вилка; гніздовий; DuraMate AHDP; PIN: 8
Роз’єм: automotive; вилка; гніздовий; DuraMate AHDP; PIN: 8

420,68 грн

Вид роз’єму:
гніздовий
Кількість пін:
8
Корпус:
розмір 18
Матеріал корпусу:
термопласт
Недоступний
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 0805; 330мВт; ±5%; AS; 150В
Резистор: thick film; 3,3кОм; SMD; 0805; 330мВт; ±5%; AS; 150В

0,84 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPST-NO; 30А; макс.600ВAC
Реле: електромагнітнe; Uкотушки: 12ВDC; DPST-NO; 30А; макс.600ВAC

1504,06 грн

Виводи:
конектори
Зовнішні розміри:
65,85x34,54x26,42мм
Конфігурація контактів:
DPST-NO
Макс. струм контактів:
30А
Недоступний
Резистор: thin film; 62кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%
Резистор: thin film; 62кОм; прецизійний; SMD; 1206; 250мВт; ±0,05%

32,12 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,05%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Недоступний
Резистор: thick film; 27кОм; 1210; 500мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А
Резистор: thick film; 27кОм; 1210; 500мВт; ±5%; CRT; -55÷155°C; 2А

0,18 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Опір:
27кОм
Недоступний
IC: пам'ять FLASH; 4МбFLASH; SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; TDFN8; туба
IC: пам'ять FLASH; 4МбFLASH; SPI,SQI; 104МГц; 2,3÷3,6В; TDFN8; туба

92,50 грн

Вид пам’яті:
NOR
Вид упаковки:
туба
Інтерфейс:
SPI; SQI
Корпус:
TDFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,2А; TO220F
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,2А; TO220F

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
27,7нКл
Корпус:
TO220F
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 150В; 62А; 350Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 150В; 62А; 350Вт; TO220AB

326,28 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
70нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1500В; 4А; 250Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1500В; 4А; 250Вт; TO247

450,46 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; 250Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; 250Вт

385,20 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; PolarHV™; польовий; 600В; 26А; 460Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; PolarHV™; польовий; 600В; 26А; 460Вт; TO247-3

612,01 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
72нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 24А; 150Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 24А; 150Вт; TO220AB

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 81Вт
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 81Вт

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
50нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±30В