Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 40В; 195А; 96Вт; TO247

Немає в наявності
Код товару: GT013N04Q
85,53 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT013N04Q
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 50нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 96Вт
Струм стока: 195А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Оптотріак; 3,75кВ; Uвих: 600В; SOP4; Ch: 1; VOM160
Оптотріак; 3,75кВ; Uвих: 600В; SOP4; Ch: 1; VOM160

0,00 грн

Вид виходу:
без схеми перемикання у нулі; симистор
Вихідна напруга:
600В
Відповідність стандарту:
UL
Зворотна напруга макс.:
6В
Недоступний
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.4mm; GKS-113; CuBe; 1N; push-in; 30mΩ
Test probe: ICT/FCT; 5A; Ø: 1.4mm; GKS-113; CuBe; 1N; push-in; 30mΩ

261,02 грн

Type of test probe:
ICT/FCT
Вигин пружини макс.:
5,3мм
Властивості вимірювальних аксесуарів:
немагнітні
Діаметр наконечника:
1,4мм
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22мкФ; 25В; X5R; ±10%; SMD; 1206

57,65 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Ємність:
22мкФ
Недоступний
Резистор: thick film; 47Ом; 1210; 500мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 47Ом; 1210; 500мВт; ±5%; 200В; -55÷155°C

2,93 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Резистор: thick film; 806Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 806Ом; SMD; 2817; 4Вт; ±1%; SP; 250В; -55÷155°C

15,84 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2817
Корпус - мм:
7142
Резистор: thick film; 820Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 820Ом; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C

0,76 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Опір:
820Ом
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 17; SMT; 3A; 250V

148,89 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
10,1мм
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 28А; 417Вт; TO247

505,58 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,5А; Idm: 1,2А; 0,83Вт; TO92

25,98 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 33А; 357Вт; TO220AB

193,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
63нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; 600В; 61А; 568Вт; TO247-3

346,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
76нКл
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 30А; 86Вт

202,10 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
90нКл
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 10,7А; 30Вт; ESD
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ V; польовий; 650В; 10,7А; 30Вт; ESD

250,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 24А; 74Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 24А; 74Вт; TO3PF

282,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
45нКл
Корпус:
TO3PF
Монтаж:
THT