Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 40В; 56А; 60Вт; DFN3x3-8

Немає в наявності
Код товару: GT060N04D3
47,52 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT060N04D3
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 20нКл
Корпус: DFN3x3-8
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 40В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 60Вт
Струм стока: 56А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Реле: напівпровідниковe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; 3А; 3A/33ВDC
Реле: напівпровідниковe; Uкотушки: 24ВDC; SPST-NO; 3А; 3A/33ВDC

1752,41 грн

Електричне під'єднування:
push-in
Зовнішні розміри:
94x6,2x80мм
Конфігурація контактів:
SPST-NO
Модель реле:
стабілізація струму
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 400мА; SMT
Перетворювач: DC/DC; 2Вт; Uвх: 9÷18ВDC; Uвих: 5ВDC; Iвих: 400мА; SMT

1394,45 грн

Використання:
медичні програми
Вихідна напруга:
5В DC
Вихідний струм:
0,4А
Вхідна напруга:
9...18В DC
Недоступний
Конденсатор: танталовий; 6,8мкФ; 25ВDC; SMD; C; 2312; ±20%; TPS
Конденсатор: танталовий; 6,8мкФ; 25ВDC; SMD; C; 2312; ±20%; TPS

27,24 грн

Діаметр роліка макс.:
180мм
Допуск:
±20%
Ємність:
6,8мкФ
Корпус:
C
Недоступний
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 67мА
Перетворювач: DC/DC; 1Вт; Uвх: 4,5÷5,5ВDC; Uвих: 15ВDC; Iвих: 67мА

236,32 грн

Використання:
медичні програми; промисловість; телекомунікація
Вихідна напруга:
15В DC
Вихідний струм:
67мА
Вхідна напруга:
4,5...5,5В DC
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,7пФ; 50В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,51 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
6,7пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 220нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 0603

1,15 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thick film; 26,1Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 26,1Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±1%; 200В

0,52 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 300мА; Idm: 0,6А; 500мВт; SOT23

15,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
0,9нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 2,2Вт; PowerDI®3333-8

110,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
PowerDI®3333-8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 45А; Idm: 180А; 63Вт; TO252AA

46,25 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
39нКл
Корпус:
TO252AA
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C2; польовий; 700В; 4А; 5Вт; SOT223

29,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
SOT223
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 21А; 250Вт; TO263

133,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO263
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ M3; польовий; 800В; 10А; 85Вт; TO252

34,85 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
TO252
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; польовий; 1кВ; 7А; 300Вт; TO263; 300нс

430,18 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
47нКл
Корпус:
TO263