Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 60В; 170А; 215Вт; TO220

Немає в наявності
Код товару: GT025N06AT
77,29 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT025N06AT
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 215Вт
Струм стока: 170А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 200В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10пФ; 200В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0402

5,32 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Connector: wire-board; plug; female; data; Inom: 12A; 250V; PIN: 4
Connector: wire-board; plug; female; data; Inom: 12A; 250V; PIN: 4

102,00 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
гніздовий
Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
4
Недоступний
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 3; 40А; 1-0-2; у корпусі; Полюси: 1
Перемикач: кулачковий; Фікс.поз: 3; 40А; 1-0-2; у корпусі; Полюси: 1

1757,48 грн

Зовнішні розміри:
90x135x110мм
Кількість всіх позицій:
3
Кількість полюсів:
1
Кількість фіксованих позицій:
3
Недоступний
Резистор: thick film; 1,62Ом; SMD; 0805; 330мВт; ±1%; HP; 150В
Резистор: thick film; 1,62Ом; SMD; 0805; 330мВт; ±1%; HP; 150В

0,46 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
0805
Недоступний
Резистор: thick film; 619кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 619кОм; 0805; 125мВт; ±1%; 150В; -55÷155°C

0,35 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: поліпропиленовий; трифазний; Q@50Гц: 2кРП; 440ВAC
Конденсатор: поліпропиленовий; трифазний; Q@50Гц: 2кРП; 440ВAC

2648,89 грн

Виводи:
конектори
Вид конденсатора:
трифазний
Висота:
150мм
Властивості конденсаторів:
вбудовані розвантажувальні резистори; внутрішнє підключення трикутником; захист від підвищеного тиску; мають ефект самовідновлення
Недоступний
Резистор: thick film; 16кОм; SMD; 1225; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C
Резистор: thick film; 16кОм; SMD; 1225; 2Вт; ±5%; CRW; -55÷155°C

2,43 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
1225
Корпус - мм:
3264
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 340Вт

2559,56 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Використання:
автомобільна галузь
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 30А; 75Вт; TO220AB

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220AB
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 5,2А; Idm: 18А; 50Вт; TO220AB

69,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
14нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 200А; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 200А; TO247AC

189,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247AC
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 900В; 1,89А; 90Вт; TO220-3; ESD

142,55 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220-3
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 12,6А; 190Вт; TO247; ESD

236,32 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 140А; 330Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 75В; 140А; 330Вт; TO220AB

158,39 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
150нКл
Корпус:
TO220AB