1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N THT

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 60В; 175А; 220Вт; TO247

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 60В; 175А; 220Вт; TO247
Немає в наявності
Код товару: GT025N06AQ
110,87 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT025N06AQ
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 70нКл
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 220Вт
Струм стока: 175А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47пФ; 50В; C0G (NP0); ±2%; SMD; 0805

0,67 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±2%
Ємність:
47пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0603
Конденсатор: керамічний; MLCC; 2,2мкФ; 6,3В; X5R; ±10%; SMD; 0603

0,88 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 8,2кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±1%
Резистор: thin film; 8,2кОм; прецизійний; SMD; 0603; 100мВт; ±1%

0,36 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; Iробочий: 11,5А; ±20%; Isat: 14А
Реактор: дротяний; SMD; 3,3мкГн; Iробочий: 11,5А; ±20%; Isat: 14А

33,13 грн

Виводи:
паяльні пункти
Високосортність:
20
Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D
Резистор: thick film; 300Ом; SMD; 0805; 250мВт; ±0,5%; ERJPC6D

1,64 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0805
Корпус - мм:
2012
Недоступний
Конденсатор: кремнієвий; 470пФ; 50В; ±15%; -55÷150°C; WLSC
Конденсатор: кремнієвий; 470пФ; 50В; ±15%; -55÷150°C; WLSC

36,75 грн

Допуск:
±15%
Ємність:
0,47нФ
Робоча напруга:
50В
Робоча температура:
-55...150°C
Резистор: thick film; 9,1кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В
Резистор: thick film; 9,1кОм; SMD; 1206; 0,25Вт; ±5%; 200В

0,66 грн

Допуск:
±5%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 28А; 78Вт; SMA
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 8А; Idm: 28А; 78Вт; SMA

299,04 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
21нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 22А; Idm: 66А; 35Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 22А; Idm: 66А; 35Вт

41,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
34нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 12А; Idm: 48А
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 12А; Idm: 48А

54,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
26,5нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 50В; 70А; Idm: 280А; 53Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS2; польовий; 50В; 70А; Idm: 280А; 53Вт

88,06 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
0,1мкКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 29А; Idm: 80А; 207Вт

415,61 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
54нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 14А; Idm: 96А; 270Вт; TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 14А; Idm: 96А; 270Вт; TO3PN

214,77 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
85нКл
Корпус:
TO3PN
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 34А; Idm: 48А; 40Вт; TO3PF
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 34А; Idm: 48А; 40Вт; TO3PF

496,07 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
54нКл
Корпус:
TO3PF