Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 60В; 60А; 75Вт; TO220

Немає в наявності
Код товару: GT088N06T
40,55 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT088N06T
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 21нКл
Корпус: TO220
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 75Вт
Струм стока: 60А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 39пФ; 50В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0402

0,47 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
178мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Резистор: thick film; 40,2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В
Резистор: thick film; 40,2Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; 200В

0,18 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3216
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 01005
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680пФ; 10В; X5R; ±20%; SMD; 01005

0,11 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X5R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 14кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0
Резистор: thin film; 14кОм; SMD; 0603; 0,125Вт; ±0,5%; MCT0603; 0

1,08 грн

Діаметр роліка макс.:
330мм
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,4пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

0,09 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,4пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 2,5В; X6S; ±20%; SMD; 0805
Конденсатор: керамічний; MLCC; 47мкФ; 2,5В; X6S; ±20%; SMD; 0805

5,13 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X6S
Допуск:
±20%
Реактор: дротяний; THT; 1мГн; 60мА; ±5%; Вив: осьові; ферит; 31,4Ом
Реактор: дротяний; THT; 1мГн; 60мА; ±5%; Вив: осьові; ферит; 31,4Ом

6,59 грн

Виводи:
осьові
Високосортність:
60
Допуск:
±5%
Індуктивність:
1мГн
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 3,7А; Idm: 15А; 81Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,7кВ; 3,7А; Idm: 15А; 81Вт

245,19 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
10нКл
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 2мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

19,64 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 133А; 200Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 55В; 133А; 200Вт; TO220AB

131,15 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
170нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 18А; 150Вт; TO220AB

89,33 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
44,7нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 300Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 70А; 300Вт; TO247AC

337,05 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,19мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; 180Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 7А; 180Вт; TO247AC

281,30 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 130А; 520Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 200В; 130А; 520Вт; TO247AC

326,91 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
161нКл
Корпус:
TO247AC