1. Головна
  2. Напівпровідники
  3. Транзистори
  4. Транзистори уніполярні
  5. Транзистори з каналом типа N
  6. Транзистори з каналом N SMD

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 60В; 90А; 78Вт; TO252

Транзистор: N-MOSFET; SGT; польовий; 60В; 90А; 78Вт; TO252
Немає в наявності
Код товару: GT055N06K
44,98 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: GT055N06K
Виробник: GOFORD SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 30нКл
Корпус: TO252
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: ±20В
Напруга сток-джерело: 60В
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 78Вт
Струм стока: 90А
Технологія: SGT
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Модуль автоматики: інвертор; Uживл: 200÷240ВAC; настінний; IP20
Модуль автоматики: інвертор; Uживл: 200÷240ВAC; настінний; IP20

12137,62 грн

Вихідна напруга інвертора:
3 x 230В AC
Вихідна частота:
0...590Гц
Властивості контролерів:
вбудований транзистор гальмування
Електричне під'єднування:
пружинні затиски; різьбові клеми
Недоступний
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 1,5м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; PUR
Кабель: до датчиків; M12; PIN: 5; 1,5м; вилка; 60ВDC; 50ВAC; 4А; PUR

1310,19 грн

Довжина кабелю:
1,5м
Індикація:
LED
Кількість діодів:
3
Кількість пін:
5
Недоступний
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HQ; 200В
Резистор: thick film; 91Ом; SMD; 1206; 500мВт; ±1%; HQ; 200В

0,75 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Резистор: thin film; 137Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 137Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±1%; TC; 200В

0,65 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 100нФ; 305В; THT; ±10%; 15мм
Конденсатор: поліпропиленовий; X2; 100нФ; 305В; THT; ±10%; 15мм

19,64 грн

Вид конденсатора:
X2
Допуск:
±10%
Ємність:
0,1мкФ
Монтаж:
THT
Недоступний
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 1,6А; Полюси: 1
Вимикач максимального струму; 230/400ВAC; Iном: 1,6А; Полюси: 1

557,53 грн

Відключаюча здатність кор. замикання:
10кА
Кількість полюсів:
1
Клас герметичності:
IP20
Монтаж:
на шину DIN
Недоступний
Резистор: thick film; 619Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 619Ом; SMD; 2010; 2Вт; ±1%; SP; 200В; -55÷155°C

7,29 грн

Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,3А; Idm: 0,6А; 0,35Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,3А; Idm: 0,6А; 0,35Вт; SOT23

30,41 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик 7 дюймів
Корпус:
SOT23
Модель:
ESD
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 32А; HSOP8
Транзистор: N-MOSFET; 30В; 32А; HSOP8

50,68 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
42,8нКл
Корпус:
HSOP8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; Idm: 720А; 300Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; 100В; 180А; Idm: 720А; 300Вт; TO263-7

302,84 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
156нКл
Корпус:
TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 32А; 208Вт; автомобільна галузь
Транзистор: N-MOSFET; 650В; 32А; 208Вт; автомобільна галузь

520,78 грн

Вид каналу:
збагачений
Використання:
автомобільна галузь
Заряд затвора:
47нКл
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; Idm: 20А; 1,3Вт; SOT23
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 5,8А; Idm: 20А; 1,3Вт; SOT23

36,11 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
10нКл
Корпус:
SOT23
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 140А; Idm: 560А; 217Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS4; польовий; 40В; 140А; Idm: 560А; 217Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
96нКл
Корпус:
LF (MO235B similar)
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 150А; Idm: 900А; 56Вт; DFN5

45,62 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Заряд затвора:
52нКл
Корпус:
DFN5