Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 24А; 134Вт; TO247-3

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SCT3105KLGC11
1036,49 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 4
Код товару: SCT3105KLGC11
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Вид каналу: збагачений
Заряд затвора: 51нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -4...22В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Потужність розсіювання: 134Вт
Струм стока: 24А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 17,8кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В
Резистор: thick film; 17,8кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; THT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 20; THT; 3A; 250V

267,36 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Висота:
25,8мм
Резистор: дротяний; 470Ом; 3Вт; ±5%; -55÷275°C; 20ppm/°C; осьові
Резистор: дротяний; 470Ом; 3Вт; ±5%; -55÷275°C; 20ppm/°C; осьові

37,63 грн

Виводи:
осьові
Діаметр:
5,6мм
Довжина:
15,1мм
Допуск:
±5%
Недоступний
Набір інструментів: загального застосування
Набір інструментів: загального застосування

3506,09 грн

Вид упаковки:
в поролоновій вставці
Тип набору інструментів:
загального застосування
Недоступний
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 910Ом; SMD; 2512; 1Вт; ±5%; -55÷155°C

0,95 грн

Допуск:
±5%
Корпус - дюйм:
2512
Корпус - мм:
6432
Монтаж:
SMD
Недоступний
Tap: inch; UNF 1; right hand thread; 72; L: 36mm; finishing; 2.1mm
Tap: inch; UNF 1; right hand thread; 72; L: 36mm; finishing; 2.1mm

302,84 грн

Type of tap:
дюймове
Вид різьблення:
права
Вид рукоятки:
квадрат; ручний
Використання інструментів:
для крізних отворів; для некрізних отворів
Iном: 15А; PIN: 3; на PCB; THT; позолочений; Iмакс: 15А
Iном: 15А; PIN: 3; на PCB; THT; позолочений; Iмакс: 15А

216,04 грн

Електричний монтаж:
THT
Кількість пін:
3
Максимальний струм:
15А
Механічний монтаж:
на PCB
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 700В; 28А; Idm: 100А; 143Вт

446,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
56нКл
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M6; польовий; 900В; 9А; Idm: 60А; 30Вт

262,29 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
29,7нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 11А; Idm: 53А; 20Вт; TO220FP

110,87 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
25нКл
Корпус:
TO220FP
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт
Транзистор: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; польовий; 600В; 7А; Idm: 28А; 79Вт

42,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт
Транзистор: N-MOSFET; EETMOS3; польовий; 100В; 50А; Idm: 200А; 51Вт

73,49 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
розсипний
Заряд затвора:
114нКл
Корпус:
FTO-220AG (SC91)
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт

800,81 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
106нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 30А; Idm: 184А; 446Вт; TO247

771,03 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
92нКл
Корпус:
TO247