Транзистор: N-MOSFET; SiC; 1,2кВ; 100А; 555Вт; HU3PAK

Термін постачання: 3 тижні
Код товару: SCT020HU120G3AG
765,33 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Мінімальна кількість в замовленні: 600
Крок додавання: 600
Код товару: SCT020HU120G3AG
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Використання: автомобільна галузь
Заряд затвора: 121нКл
Корпус: HU3PAK
Монтаж: SMD
Напруга затвор-джерело: -10...22В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 28мОм
Потужність розсіювання: 555Вт
Струм стока: 100А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
150Ом; ±1%; 250мВт; -55÷155°C; MiniMELF; 0204; SMD; 50ppm/°C
150Ом; ±1%; 250мВт; -55÷155°C; MiniMELF; 0204; SMD; 50ppm/°C

0,00 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Корпус:
MiniMELF
Корпус - дюйм:
0204
Конденсатор: поліпропиленовий; Вив: радіальні
Конденсатор: поліпропиленовий; Вив: радіальні

32,69 грн

Виводи:
радіальні
Тип конденсатора:
поліпропиленовий
Недоступний
Кабель: для сервоприводів; 10м; Стандарт: Allen Bradley
Кабель: для сервоприводів; 10м; Стандарт: Allen Bradley

15297,79 грн

Engineering PN:
2090-CPBM7E7-16AF10
Використання:
мобільні з'єднання
Довжина кабелю:
10м
Модель:
заправлений
Недоступний
Резистор: thin film; 110кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB
Резистор: thin film; 110кОм; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; ERA8AEB

9,69 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
300В
Корпус - дюйм:
1206
Недоступний
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 44А; SOT227B; пригвинчуваний
Модуль; одиночний транзистор; 1кВ; 44А; SOT227B; пригвинчуваний

2672,96 грн

Вид каналу:
збагачений
Електричний монтаж:
пригвинчуваний
Заряд затвора:
245нКл
Корпус:
SOT227B
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 4; ±1,35÷6ВDC,2,7÷12ВDC
IC: Oпераційний підсилювач; 3МГц; Ch: 4; ±1,35÷6ВDC,2,7÷12ВDC

816,65 грн

Вид упаковки:
туба
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail output
Вхідна напруга зміщення нуля:
80мкВ
Вхідний поляризаційний струм:
30нА
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 60А; 125Вт; DFN8

277,50 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Корпус:
DFN8
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7
Транзистор: N-MOSFET; SiC; 750В; 51А; 150Вт; TO263-7

679,80 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
94нКл
Корпус:
TO263-7
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А
Транзистор: N-MOSFET; 20В; 3,2А

8,24 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
5,9нКл
Монтаж:
SMD
Напруга сток-джерело:
20В
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт
Транзистор: N-MOSFET; 25В; 96Вт

81,09 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
59нКл
Монтаж:
SMD
Напруга затвор-джерело:
±20В
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 40А; Idm: 200А; 333Вт

287,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
143нКл
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK
Транзистор: N-MOSFET; N; 800В; 10А; 83Вт; DPAK

91,23 грн

Вид каналу:
збагачений
Заряд затвора:
17,3нКл
Корпус:
DPAK
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 1,7А; Idm: 6А; 25Вт

93,13 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
12нКл
Корпус:
DPAK; TO252