Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 31А; 165Вт; TO247

Name: Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 31А; 165Вт; TO247
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: SCT3080KLGC11
Price: 903.45 UAH
Availability: OutOfStock
Rating: 100 (1 reviews)

Бажані

Немає в наявності

Код товару: SCT3080KLGC11

903,45 грн

Ціни вказані в гривні без ПДВ

Код товару:

SCT3080KLGC11

Виробник:

ROHM SEMICONDUCTOR

Вид каналу:

збагачений

Вид упаковки:

туба

Корпус:

TO247

Монтаж:

THT

Напруга сток-джерело:

1,2кВ

Опір в стані провідності:

80мОм

Поляризація:

польовий

Потужність розсіювання:

165Вт

Струм стока:

31А

Технологія:

SiC

Тип транзистора:

N-MOSFET

Це може вас зацікавити

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 650В; 6,2А; TO220F

64,62 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
27,7нКл

Корпус:
TO220F

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; PolarHT™; польовий; 150В; 62А; 350Вт; TO220AB

326,28 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
70нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ K5; польовий; 1500В; 4А; 250Вт; TO247

450,46 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Модель:
ESD

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; польовий; 600В; 21А; 250Вт

385,20 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Корпус:
TO247

Монтаж:
THT

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; PolarHV™; польовий; 600В; 26А; 460Вт; TO247-3

612,01 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
72нКл

Корпус:
TO247-3

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 24А; 150Вт; TO220AB

156,49 грн

Вид каналу:
збагачений

Вид упаковки:
туба

Заряд затвора:
39нКл

Корпус:
TO220AB

Бажані

Транзистор: N-MOSFET; 600В; 18А; 81Вт

183,73 грн

Вид каналу:
збагачений

Заряд затвора:
50нКл

Монтаж:
THT

Напруга затвор-джерело:
±30В