Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 36А; Idm: 107А; 277Вт

Немає в наявності
Код товару: SCTWA40N120G2V-4
1006,72 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: SCTWA40N120G2V-4
Виробник: STMicroelectronics
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Властивості напівпровідникових елементів: виведення Кельвіна
Заряд затвора: 61нКл
Корпус: HIP247-4
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -10...22В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 0,1Ом
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 277Вт
Струм стока: 36А
Струм стоку в імпульсі: 107А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
IC: PMIC; синхронний; Uвх: 1,8÷5,5В; Uвих: 1,6÷3,3В; buck; ST1
IC: PMIC; синхронний; Uвх: 1,8÷5,5В; Uвих: 1,6÷3,3В; buck; ST1

44,98 грн

Вид об'єднаної схеми:
синхронний
Вихідна напруга:
1,6...3,3В
Вихідний струм:
0,4А
Вхідна напруга:
1,8...5,5В
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680нФ; 16В; X7R; ±10%; SMD; 1206

4,82 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Недоступний
Резистор: thin film; 2,2кОм; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм
Резистор: thin film; 2,2кОм; THT; 400мВт; ±1%; 200В; Ш0,5x29мм

9,00 грн

Діаметр:
1,6мм
Довжина:
3,6мм
Допуск:
±1%
Монтаж:
THT
Недоступний
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 1; 2÷5,5ВDC; SOT23-5; -3÷3мВ
IC: Oпераційний підсилювач; 2МГц; Ch: 1; 2÷5,5ВDC; SOT23-5; -3÷3мВ

26,17 грн

Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Властивості інтегральних мікросхем:
rail-to-rail
Вхідна напруга зміщення нуля:
-3...3мВ
Вхідний поляризаційний струм:
1пА
Резистор: thick film; 2,74кОм; 0603; 300мВт,400мВт; ±0,5%
Резистор: thick film; 2,74кОм; 0603; 300мВт,400мВт; ±0,5%

1,44 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±0,5%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 5В; 1А
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 5В; 1А

78,56 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
cтрічка; ролик
Вихідна напруга:
5В
Вихідний струм:
1А
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C
Резистор: thick film; 110Ом; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; 75В; 100ppm/°C

0,10 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт

763,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
128нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

662,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
287нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC

217,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В