Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 36А; Idm: 130А; 114Вт

Немає в наявності
Код товару: AIMW120R045M1XKSA1
1045,36 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: AIMW120R045M1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -7...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 75мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 114Вт
Струм стока: 36А
Струм стоку в імпульсі: 130А
Технологія: CoolSiC™; SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Резистор: thick film; 1,74кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1,74кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; -55÷155°C

0,06 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
0603
Корпус - мм:
1608
Монтаж:
SMD
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0402
Конденсатор: керамічний; MLCC; 10нФ; 10В; X7R; ±10%; SMD; 0402

0,08 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±10%
Ємність:
10нФ
Недоступний
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 62; SMT; 3A; 250V
Connector: pin strips; pin header; male; data; PIN: 62; SMT; 3A; 250V

1013,05 грн

Connector family:
data
Вид роз’єму:
штекерний
Вид упаковки:
розсипний
Електричний монтаж:
SMT
Недоступний
Амперметр; на панель; I AC: 0÷1кА; True RMS; Клас: 1,5; 50÷60Гц
Амперметр; на панель; I AC: 0÷1кА; True RMS; Клас: 1,5; 50÷60Гц

1400,79 грн

Вимір:
струму AC
Вимірювання дійсної ефективної величини:
True RMS
Вхідний струм:
1А
Клас герметичності:
IP52
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 25В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 470пФ; 25В; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0201

0,21 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±1%
Недоступний
Резистор: thin film; 182кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%
Резистор: thin film; 182кОм; прецизійний; SMD; 0402; 100мВт; ±0,1%

3,23 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Корпус - дюйм:
0402
Корпус - мм:
1005
Недоступний
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±0,5%; 200В
Резистор: thick film; 68Ом; SMD; 1210; 500мВт; ±0,5%; 200В

1,67 грн

Допуск:
±0,5%
Імпульсна макс. напруга:
500В
Корпус - дюйм:
1210
Корпус - мм:
3225
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт

763,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
128нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

662,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
287нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC

217,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В