Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 54А; Idm: 200А; 517Вт

Немає в наявності
Код товару: S3M0025120D
431,45 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: S3M0025120D
Виробник: SMC DIODE SOLUTIONS
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Заряд затвора: 175нКл
Корпус: TO247-3
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -4...18В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 36мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 517Вт
Струм стока: 54А
Струм стоку в імпульсі: 200А
Технологія: SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680нФ; 630В; X7T; ±20%; SMD; 2220
Конденсатор: керамічний; MLCC; 680нФ; 630В; X7T; ±20%; SMD; 2220

108,34 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
180мм
Діелектрик:
X7T
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thin film; 300Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В
Резистор: thin film; 300Ом; SMD; 1206; 250мВт; ±0,1%; TC; 200В

2,45 грн

Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
400В
Корпус - дюйм:
1206
Корпус - мм:
3225
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 10В; X7R; ±20%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 6,8нФ; 10В; X7R; ±20%; SMD; 0201

0,04 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
X7R
Допуск:
±20%
Недоступний
Резистор: thick film; 6,65кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C
Резистор: thick film; 6,65кОм; 2010; 750мВт; ±1%; CRT; -55÷155°C

0,42 грн

Допуск:
±1%
Корпус - дюйм:
2010
Корпус - мм:
5025
Опір:
6,65кОм
Недоступний
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; NQ; 75В
Резистор: thick film; 330кОм; SMD; 0603; 100мВт; ±1%; NQ; 75В

0,17 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3В; 0,5А
IC: стабілізатор напруги; LDO,лінійний,нерегульований; 3В; 0,5А

95,67 грн

Вид стабілізатора напруги:
LDO; лінійний; нерегульований
Вид упаковки:
туба
Вихідна напруга:
3В
Вихідний струм:
0,5А
Недоступний
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; HP; 75В; -55÷155°C
Резистор: thick film; 1Ом; SMD; 0603; 200мВт; ±1%; HP; 75В; -55÷155°C

0,25 грн

Відповідність стандарту:
AEC-Q200
Допуск:
±1%
Імпульсна макс. напруга:
150В
Корпус - дюйм:
0603
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 650В; 10,5А; Idm: 40А

95,67 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO220FP
Монтаж:
THT
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 5А; Idm: 22А; 78Вт; TO220AB

140,02 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
42нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт
Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ M2; польовий; 500В; 7А; Idm: 40А; 85Вт

111,51 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
15нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

214,14 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 13А; Idm: 65А; 160Вт

157,12 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
27,3нКл
Корпус:
TO220-3
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А
Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ C4; польовий; 600В; 20А; Idm: 100А

241,38 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
46нКл
Корпус:
TO262
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 25А; TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 25А; TO247-3

83,63 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Корпус:
TO247-3
Монтаж:
THT