Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 71А; Idm: 213А; 188Вт

Немає в наявності
Код товару: IMW120R020M1HXKSA1
1583,88 грн
Ціни вказані в гривні без ПДВ
Код товару: IMW120R020M1HXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Вид каналу: збагачений
Вид упаковки: туба
Корпус: TO247
Монтаж: THT
Напруга затвор-джерело: -7...20В
Напруга сток-джерело: 1,2кВ
Опір в стані провідності: 36мОм
Поляризація: польовий
Потужність розсіювання: 188Вт
Струм стока: 71А
Струм стоку в імпульсі: 213А
Технологія: CoolSiC™; SiC
Тип транзистора: N-MOSFET
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 110 CY BK; 3x1,5мм2; ПВХ; чорний; CPR: Eca
Провід; ÖLFLEX® CLASSIC 110 CY BK; 3x1,5мм2; ПВХ; чорний; CPR: Eca

292,07 грн

Будова екрану:
екранований; обплітка з луджених мідних дротів
Будова жили:
тросик
Вид жили:
Cu
Вид матеріалу:
не поширює полум'я
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206
Конденсатор: керамічний; MLCC; 22пФ; 1кВ; C0G (NP0); ±5%; SMD; 1206

2,06 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 3,3пФ; 25В; C0G (NP0); ±0,05пФ; SMD

0,14 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
3,3пФ
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 200В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201
Конденсатор: керамічний; MLCC; 12пФ; 200В; C0G (NP0); ±5%; SMD; 0201

1,70 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Допуск:
±5%
Резистор: thin film; 2,87кОм; прецизійний; SMD; 0402; 62,5мВт; AR
Резистор: thin film; 2,87кОм; прецизійний; SMD; 0402; 62,5мВт; AR

3,10 грн

Вид резистора:
прецизійний
Допуск:
±0,1%
Імпульсна макс. напруга:
50В
Корпус - дюйм:
0402
Недоступний
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD
Конденсатор: керамічний; MLCC; 5,5пФ; 100В; C0G (NP0); ±0,1пФ; SMD

1,36 грн

Вид конденсатора:
MLCC
Діаметр роліка макс.:
330мм
Діелектрик:
C0G (NP0)
Ємність:
5,5пФ
Недоступний
IC: стабілізатор напруги; 3,3В; 300мА; VSON8; SMD; -25÷85°C; Ch: 1
IC: стабілізатор напруги; 3,3В; 300мА; VSON8; SMD; -25÷85°C; Ch: 1

0,00 грн

Вихідна напруга:
3,3В
Вихідний струм:
0,3А
Вхідна напруга:
4,5...14В
Кількість каналів:
1
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 650В; 48А; Idm: 135А; 550Вт

763,43 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
128нКл
Корпус:
TO247-3
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 85А; Idm: 250А; 732Вт

662,70 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
287нКл
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 400В; 3,5А; 74Вт; TO220AB

61,45 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
38нКл
Корпус:
TO220AB
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 100В; 29А; 230Вт; TO247AC

217,94 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
0,14мкКл
Корпус:
TO247AC
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 500В; 1,5А; 42Вт; IPAK,TO251

67,79 грн

Вид каналу:
збагачений
Вид упаковки:
туба
Заряд затвора:
19нКл
Корпус:
IPAK; TO251
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт
Транзистор: N-MOSFET; SiC; польовий; 1,2кВ; 74А; Idm: 200А; 469Вт

1384,95 грн

Вид каналу:
збагачений
Властивості напівпровідникових елементів:
виведення Кельвіна
Заряд затвора:
162нКл
Корпус:
TO247-4
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА
Транзистор: N-JFET; польовий; 20мА; 0,625Вт; TO92; Igt: 50мА

21,54 грн

Вид упаковки:
розсипний
Корпус:
TO92
Монтаж:
THT
Напруга затвор-джерело:
-35В